[发明专利]一种三磷酸腺苷电致化学发光测定方法在审

专利信息
申请号: 201810893797.0 申请日: 2018-08-08
公开(公告)号: CN108663357A 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 彭花萍;黄种南;陈伟;邓豪华;吴伟华 申请(专利权)人: 福建医科大学
主分类号: G01N21/76 分类号: G01N21/76;G01N27/327
代理公司: 福州智理专利代理有限公司 35208 代理人: 王义星
地址: 350004 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 三磷酸腺苷 电致化学发光 金纳米团簇 探针 二氧化锰纳米材料 发光强度变化 氧化还原反应 特异性结合 电极表面 二氧化锰 谷胱甘肽 临床应用 实际样品 脱氧核酶 线性关系 灵敏度 适配体 重现性 猝灭剂 产率 电致 可用 量子 检测 恢复
【权利要求书】:

1.一种三磷酸腺苷电致化学发光测定方法,其特征是:首先在电极表面修饰金纳米团簇,通过还原法制备高量子产率金纳米团簇电致化学发光探针,并进一步在电极表面修饰二氧化锰纳米材料形成二氧化锰/金纳米团簇修饰电极,将其作为电致化学发光猝灭剂;将适配体和Sn(IV)原卟啉IX混合,形成脱氧核酶,加入谷胱甘肽溶液中,形成的脱氧核酶催化氧化谷胱甘肽,将二氧化锰/金纳米团簇修饰电极浸入上述溶液反应后,采集修饰电极的电致化学发光信号,将该信号值作为空白值;将三磷酸腺苷、适配体、Sn(IV)卟啉IX及谷胱甘肽混合,适配体与三磷酸腺苷结合,不产生脱氧核酶,将二氧化锰/金纳米团簇修饰电极浸入上述溶液,谷胱甘肽与电极表面二氧化锰发生氧化还原反应,采集修饰电极的电致化学发光信号,根据电致化学发光信号的改变实现三磷酸腺苷的测定。

2.根据权利要求1所述的一种三磷酸腺苷电致化学发光测定方法,其特征是所述还原法制备高量子产率金纳米团簇电致化学发光探针采用下述的电化学还原法或化学还原法制备:

(1)电化学还原法:采用三电极体系,以金纳米团簇修饰玻碳电极为工作电极,铂丝电极为对电极,Ag/AgCl为参比电极,将上述电极插入0.1 mol/L pH 7.4磷酸盐缓冲溶液中,施加-1.4 V~-2 V范围内负电位电压,进行恒电位还原处理5 min~1 h,得到电化学发光金纳米团簇探针;

(2)化学还原法:将金纳米团簇修饰玻碳电极浸泡在0.1~1 mol/L硼氢化钠溶液反应5min~30 min,得到化学还原法制备的金纳米团簇探针修饰电极。

3.根据权利要求1、2所述的一种三磷酸腺苷电致化学发光测定方法,其特征是所述金纳米团簇为功能化修饰金纳米团簇,采用N-乙酰化-L-半胱氨酸-金纳米团簇或牛血清白蛋白-金纳米团簇。

4.根据权利要求1所述的一种三磷酸腺苷电致化学发光测定方法,其特征是所述在电极表面修饰二氧化锰纳米材料的方法为电化学沉积法:采用三电极体系,以还原法处理金纳米团簇修饰电极为工作电极,铂丝电极为对电极,Ag/AgCl为参比电极,采用I-T法,在1:1V/V的KMnO4-H2SO4溶液中,电化学沉积二氧化锰,沉积电位为-0.1 V~-0.5 V,沉积时间为100 s~600 s,清洗,氮气吹干。

5.根据权利要求1所述的一种三磷酸腺苷电致化学发光测定方法,其特征是所述采集修饰电极的电致化学发光信号方法如下:采用三电极体系进行测试,以修饰电极为工作电极,铂丝电极为对电极,Ag/AgCl为参比电极,缓冲溶液为磷酸盐缓冲溶液或Tris-HCl缓冲溶液,所用电解质为KCl或KNO3;将上述电极插入含有过硫酸根离子共反应剂的缓冲溶液中,采用阶跃脉冲法进行电化学发光测试,初始电位为0 V,脉冲时间为10 s,终止电位为-2V,脉冲时间为1 s,光电倍增管高压设置为600~800 V,检测电致化学发光辐射信号。

6.根据权利要求1所述的一种三磷酸腺苷电致化学发光测定方法,其特征是所述适配体的序列为:GGGATGGGCACCTGGGGGAGTATTAGCGGAGG AAGGTTCCAGGTGGGGTTGGG,浓度为1×10−6 mol/L~1×10−5 mol/L。

7.根据权利要求1所述的一种三磷酸腺苷电致化学发光测定方法,其特征是所述Sn(IV)原卟啉IX浓度为1×10−6 mol/L~2×10−5 mol/L,谷胱甘肽浓度为0.1 mol/L。

8.根据权利要求5所述的一种三磷酸腺苷电致化学发光测定方法,其特征是采集修饰电极的电致化学发光信号的磷酸盐缓冲溶液或Tris-HCl缓冲溶液的pH值为7.4,过硫酸根离子浓度为0.1 mol/L。

9.根据权利要求1所述的一种三磷酸腺苷电致化学发光测定方法,其特征是电致化学发光强度变化值与三磷酸腺苷浓度的对数值在3.6×10-12~3.6×10-3 mol/L的范围内呈良好的线性关系,检测限为1.4×10-12 mol/L。

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