[发明专利]利用氢化物气相沉积法的氮化镓基板的制造方法有效
| 申请号： | 201810894237.7 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110544619B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 朴在勤;沈宰亨;沈泰宪 | 申请（专利权）人： | 汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 延美花;臧建明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 氢化物 沉积 氮化 镓基板 制造 方法 | ||
1.一种氮化镓基板的制造方法，其特征在于，包括：
向蓝宝石基板上注入氨气的第一表面处理步骤；
通过向上述蓝宝石基板上注入上述氨气及氯化氢气体来形成缓冲层的步骤，上述氨气与氯化氢气体的流量比X:1在11至13的范围；
向上述蓝宝石基板上注入上述氨气的第二表面处理步骤；以及
在上述蓝宝石基板上分步降低氨气与氯化氢气体的流量比并使氮化镓生长的步骤，其中，
生长上述氮化镓的步骤包括生长坑式氮化镓层的步骤及生长镜面式氮化镓层的步骤，
在生长所述坑式氮化镓层的步骤中，氨气与氯化氢气体的流量比X:1从10.8分步降低到2.5，
在生长所述镜面式氮化镓层的步骤中，氨气与氯化氢气体的流量比X:1在1至2的范围保持预定值。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基板的制造方法，其特征在于，上述在上述蓝宝石基板上分步降低氨气与氯化氢气体的流量比并使氮化镓生长的步骤中，上述氨气的流量随着时间分步减少，上述氯化氢气体的流量随着时间维持恒定。
3.根据权利要求1所述的氮化镓基板的制造方法，其特征在于，上述在上述蓝宝石基板上分步降低氨气与氯化氢气体的流量比并使氮化镓生长的步骤中，根据上述氨气与氯化氢气体的流量比来控制氮化镓基板的弯曲。
4.根据权利要求1所述的氮化镓基板的制造方法，其特征在于，上述坑式氮化镓层具有50μm至200μm的厚度。
5.根据权利要求1所述的氮化镓基板的制造方法，其特征在于，上述镜面式氮化镓层具有50μm至200μm的厚度。
6.根据权利要求1所述的氮化镓基板的制造方法，其特征在于，上述缓冲层为氮化铝。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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