[发明专利]改善静电放电防护能力的瞬时电压抑制装置

权利要求书

1.一种改善静电放电防护能力的瞬时电压抑制装置，其特征在于，包含：

一半导体基板，属于第一导电型；

一第一掺杂井区，属于第二导电型，该第一掺杂井区设于该半导体基板中，并与该半导体基板的底部相隔；

一第一重掺杂区，属于该第一导电型，该第一重掺杂区设于该第一掺杂井区中；

一第二掺杂井区，属于该第二导电型，该第二掺杂井区设于该半导体基板中，并与该半导体基板的该底部相隔；

一第二重掺杂区，属于该第一导电型，该第二重掺杂区设于该第二掺杂井区中；以及

一第一电流阻挡结构，设于该半导体基板中，并与该半导体基板的该底部相隔，且设于该第一掺杂井区与该第二掺杂井区之间，该第一电流阻挡结构的深度大于或等于该第一掺杂井区与该第二掺杂井区的深度；

其中该第一重掺杂区与该第二重掺杂区分别电性连接一第一接脚与一第二接脚，该第一电流阻挡结构为浮接，在该第一接脚与该第二接脚上有静电放电电压时，第一静电放电电流从该第一接脚流向该第二接脚，并流经该第一电流阻挡结构的下方的该半导体基板。

2.如权利要求1所述的改善静电放电防护能力的瞬时电压抑制装置，其特征在于，该第一导电型为P型，该第二导电型为N型。

3.如权利要求1所述的改善静电放电防护能力的瞬时电压抑制装置，其特征在于，该第一导电型为N型，该第二导电型为P型。

4.如权利要求1所述的改善静电放电防护能力的瞬时电压抑制装置，其特征在于，该第一电流阻挡结构为属于该第一导电型的重掺杂井区或隔离沟渠。

5.如权利要求1所述的改善静电放电防护能力的瞬时电压抑制装置，其特征在于，还包含：

一第三重掺杂区，属于该第一导电型，该第三重掺杂区设于该第一掺杂井区中；以及

一第四重掺杂区，属于该第一导电型，该第四重掺杂区设于该第二掺杂井区中，并电性连接该第三重掺杂区。

6.如权利要求5所述的改善静电放电防护能力的瞬时电压抑制装置，其特征在于，还包含至少一个第三掺杂井区，其设于该半导体基板中，并与该半导体基板的该底部相隔，且设于该第一电流阻挡结构与该第一掺杂井区之间，该第一电流阻挡结构的该深度大于或等于该至少一个第三掺杂井区的深度，该至少一个第三掺杂井区属于该第二导电型，该至少一个第三掺杂井区具有一第五重掺杂区与一第六重掺杂区，该第五重掺杂区与该第六重掺杂区属于该第一导电型，该第三重掺杂区通过该第五重掺杂区与该第六重掺杂区电性连接该第四重掺杂区。

7.如权利要求6所述的改善静电放电防护能力的瞬时电压抑制装置，其特征在于，还包含至少一个第二电流阻挡结构，其设于该半导体基板中，并与该半导体基板的该底部相隔，且设于该第一掺杂井区与该至少一个第三掺杂井区之间，该至少一个第二电流阻挡结构的深度大于或等于该第一掺杂井区、该第二掺杂井区与该至少一个第三掺杂井区的该深度。

8.如权利要求7所述的改善静电放电防护能力的瞬时电压抑制装置，其特征在于，该至少一个第二电流阻挡结构为属于该第一导电型的重掺杂井区或隔离沟渠。

9.如权利要求5所述的改善静电放电防护能力的瞬时电压抑制装置，其特征在于，还包含至少一个第四掺杂井区，其设于该半导体基板中，并与该半导体基板的该底部相隔，且设于该第一电流阻挡结构与该第二掺杂井区之间，该第一电流阻挡结构的该深度大于或等于该至少一个第四掺杂井区的深度，该至少一个第四掺杂井区属于该第二导电型，该至少一个第四掺杂井区具有一第七重掺杂区与一第八重掺杂区，该第七重掺杂区与该第八重掺杂区属于该第一导电型，该第三重掺杂区通过该第七重掺杂区与该第八重掺杂区电性连接该第四重掺杂区。