[发明专利]一种吸气剂薄膜的制备方法在审
申请号: | 201810900184.5 | 申请日: | 2018-08-09 |
公开(公告)号: | CN109136867A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 李志平;张鑫;朱华 | 申请(专利权)人: | 李志平 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 朱亲林 |
地址: | 213000 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸气剂 制备 薄膜 真空器件 主体层 吸气 附着层 预处理 薄膜技术领域 磁控溅射镀膜 激活 工艺兼容性 超高真空 电器元件 封装过程 复合合金 溅射镀膜 使用寿命 漏电 单层膜 覆盖度 颗粒化 牢固度 双层膜 靶材 可控 陶瓷 图案 灵活 应用 生产 | ||
1.一种吸气剂薄膜的制备方法,其特征在于具体步骤为:
(1)铝合金经去油水洗后,进行电解抛光,得抛光液,抛光后的铝片经去离子水洗后,得预处理铝合金;以纯锆靶、纯钛靶为靶材,以铝合金为接收源,通过双靶共焦射频反应溅射法沉积在铝合金基体上,在薄膜沉积之前,金属靶材预先经过预溅射清洗,之后进行双靶共焦射频反应溅射沉积,得复合合金;
(2)以复合合金为靶材,以预处理陶瓷为基片接收,运用超高真空磁控溅射镀膜系统溅射镀膜,得吸气剂薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种吸气剂薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(1)所述的抛光液为H4ClO4和无水乙醇按体积比1∶4混合均匀。
3.根据权利要求1所述的一种吸气剂薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(1)所述的抛光条件为16~18V,10e,3min。
4.根据权利要求1所述的一种吸气剂薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(1)所述的预溅射清洗为预溅射时间为5~25min,气体吸收层的沉积时间为30~200min,衬底自旋速度为1~10r/min。
5.根据权利要求1所述的一种吸气剂薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(1)所述的双靶共焦射频反应溅射沉积条件参数为真空度为1×10-6~1×10-4Pa,工作气氛是体积分数为99.99%高纯氩气,以氩气起弧,氮气为反应气体,氩氮流量比10∶(6-15),溅射气压为0.1Pa~2Pa,射频功率为80~200W,金属靶材与衬底之间的距离为3~6cm。
6.根据权利要求1所述的一种吸气剂薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(2)所述的预处理陶瓷为陶瓷衬底经丙酮、酒精、去离子水超声清洗,在H2SO4∶H2O2=2∶1溶液中清洗,用去离子水冲洗并烘干。
7.根据权利要求1所述的一种吸气剂薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(2)所述的超高真空磁控溅射镀膜系统的条件参数为:沉积系统的背底真空抽至8×10-5Pa,靶基距6cm,通入高纯氩气(99.999%),预溅射靶材10~20min,薄膜制备采用射频功率100W,附着层的沉积压强0.2Pa,主体层的沉积压强4Pa,时间分别为4和100min。
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