[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，能够在单晶硅晶片中形成适当的盾构隧道，能够通过盾构隧道形成与等离子蚀刻的复合加工将单晶硅晶片分割成各个器件。晶片的加工方法包含：保护部件配设工序，在晶片(2)的正面(2a)上配设保护部件；盾构隧道形成工序，从晶片(2)的背面(2b)对与分割预定线(4)对应的区域照射对于单晶硅具有透过性的波长的激光光线(LB)为连续地形成多个盾构隧道(56)，该盾构隧道(56)由从背面(2b)至正面(2a)的细孔(52)和围绕细孔(52)的非晶质(54)构成；以及分割工序，通过等离子蚀刻对盾构隧道(56)进行蚀刻而将晶片(2)分割成各个器件芯片，将盾构隧道形成工序中所使用的激光光线(LB)的波长设定为1950nm以上。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，将由交叉的多条分割预定线划分而在单晶硅基板的正面形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片。

背景技术

由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片通过激光加工装置分割成各个器件芯片，分割得到的各器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电气设备。

激光加工装置存在下述(1)至(3)的类型。

类型(1)：将对于被加工物具有吸收性的波长的激光光线的聚光点定位在被加工物的上表面上而对被加工物照射激光光线，通过烧蚀形成作为分割的起点的槽(例如，参照专利文献1)。

类型(2)：将对于被加工物具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于被加工物的内部而对被加工物照射激光光线，在被加工物的内部形成作为分割的起点的改质层(例如，参照专利文献2)。

类型(3)：将对于被加工物具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于被加工物的内部而对被加工物照射激光光线，形成作为分割的起点的多个盾构隧道，该盾构隧道由从被加工物的正面至背面的细孔和围绕细孔的非晶质构成(例如，参照专利文献3)。

专利文献1：日本特开平10-305420号公报

专利文献2：日本特许第3408805号公报

专利文献3：日本特开2014-221483号公报

上述的(2)或(3)的方法具有如下的优点：当在实施激光加工而形成分割起点之后实施等离子蚀刻而将晶片分割成各个器件时，能够产生抗弯强度高的器件。

但是，在上述专利文献3公开的技术中，虽然能够在以蓝宝石(Al₂O₃)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为原材料的晶片中适当形成盾构隧道，但是存在下述问题：无法在以单晶硅作为原材料的晶片中形成适当的盾构隧道，因此无法通过盾构隧道形成与等离子蚀刻的复合加工而将单晶硅晶片分割成各个器件芯片。

另外，对于单晶硅晶片，虽然通过上述专利文献2公开的技术能够在分割预定线的内部形成改质层，但是存在下述问题：在分割预定线的上表面上层叠有TEG等金属膜或被称为Low-k膜的低介电常数绝缘体被膜的情况下，在改质层形成与等离子蚀刻的复合加工中也无法将单晶硅晶片分割成各个器件芯片。

认为若能够对单晶硅晶片形成适当的盾构隧道，则也能够对层叠在分割预定线的上表面上的金属膜或Low-k膜形成细孔，因此能够通过盾构隧道形成与等离子蚀刻的复合加工将单晶硅晶片分割成各个器件。

发明内容

由此，本发明的目的在于提供晶片的加工方法，能够在单晶硅晶片中形成适当的盾构隧道，能够通过盾构隧道形成与等离子蚀刻的复合加工将单晶硅晶片分割成各个器件芯片。