[发明专利]一种双波段紫外光电探测器件及其制备方法

权利要求书

1.一种双波段紫外光电探测器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

选取衬底；

在所述衬底表面生长光吸收层；

在所述衬底表面生长光吸收层的步骤包括：

将氧气和氩气作为溅射气体通入溅射腔；

在预设磁控共溅射条件下，利用磁控共溅射工艺在所述衬底表面溅射(In_xGa_1-x)₂O₃材料形成所述光吸收层，且x的取值范围是0.58-0.76；

在预设退火条件下，对所述光吸收层进行原位退火；

在所述光吸收层表面形成叉指电极。

2.根据权利要求1所述的双波段紫外光电探测器件的制备方法，其特征在于，所述氧气和所述氩气质量百分比纯度均为99.999％，所述氧气流量为5cm³/秒，所述氩气流量为20cm³/秒。

3.根据权利要求1所述的双波段紫外光电探测器件的制备方法，其特征在于，选用质量比纯度大于99.99％的Ga₂O₃靶材和In₂O₃靶材作为溅射靶材，所述预设磁控共溅射条件为：衬底温度为610±5℃，真空度为4×10^-4Pa-6×10^-4Pa，所述Ga₂O₃靶材溅射功率为100W，所述In₂O₃靶材溅射功率为50W-90W，溅射靶材基距为5cm，溅射时长为1小时。

4.根据权利要求1所述的双波段紫外光电探测器件的制备方法，其特征在于，在所述光吸收层表面形成叉指电极包括：

将氩气作为溅射气体通入溅射腔；

在预设磁控溅射条件下，采用叉指电极掩膜板，利用磁控溅射工艺在所述光吸收层表面溅射Au材料制备形成所述叉指电极。

5.根据权利要求4所述的双波段紫外光电探测器件的制备方法，其特征在于，所述氩气质量百分比纯度为99.999％，所述氩气流量为20cm³/秒。

6.根据权利要求4所述的双波段紫外光电探测器件的制备方法，其特征在于，选用质量比纯度大于99.99％的Au靶材作为溅射靶材；所述预设磁控溅射条件为：真空度为4×10^-4Pa-6×10^-4Pa，溅射靶材基距为5cm，工作电流为1A。

7.一种双波段紫外光电探测器件，其特征在于，包括由权利要求1至6中任一项所述的制备方法制成的衬底(1)、光吸收层(2)、叉指电极(3)。

8.根据权利要求7所述的双波段紫外光电探测器件，其特征在于，所述衬底(1)的厚度为200-600μm，所述光吸收层(2)的厚度为300±5nm，所述叉指电极(3)的厚度为120±5nm。

9.根据权利要求7所述的双波段紫外光电探测器件，其特征在于，所述叉指电极的指长为2800μm、指宽为200μm、指间距为200μm。