[发明专利]晶圆测试方法及晶圆测试装置在审
申请号: | 201810901038.4 | 申请日: | 2018-08-09 |
公开(公告)号: | CN108807212A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 周杰;谢家红;侯天宇;田茂 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 测试管 管芯 晶圆测试装置 晶圆测试 探针测试 半导体制造技术 电性能 探针 种晶 损伤 检查 测试 | ||
1.一种晶圆测试方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一晶圆,所述晶圆上具有多个管芯;
对所述晶圆进行来料检查,并将通过来料检查的管芯作为待测试管芯;
对所述待测试管芯进行探针测试,以获取待测试管芯的电性能。
2.根据权利要求1所述的晶圆测试方法,其特征在于,还包括如下步骤:
获取异常管芯在所述晶圆上的位置,所述异常管芯为未通过所述来料检查的管芯;
将探针晶圆图中与所述异常管芯的位置对应的坐标进行标记,所述探针晶圆图为所述探针对所述晶圆上的多个管芯进行电性能测试的依据;
判断当前坐标是否被标记,若是,则控制所述探针跳过当前坐标,以避免对与当前坐标对应的异常管芯进行探针测试。
3.根据权利要求2所述的晶圆测试方法,其特征在于,还包括如下步骤:
判断所述探针表面是否存在污染物,若是,则在对下一管芯测试之前对所述探针进行清理。
4.根据权利要求1所述的晶圆测试方法,其特征在于,还包括如下步骤:
获取一探针测试结果图,所述探针测试结果图中包括与多个待测试管芯一一对应的探针测试结果;
提供一标准图,所述标准图中包括与所述晶圆上的多个管芯一一对应的多个区域;
对比所述探针测试结果图与所述标准图,采用预设标注对所述探针测试结果图中缺失的测试结果进行补充,以合成晶圆测试图。
5.根据权利要求1所述的晶圆测试方法,其特征在于,对所述晶圆进行来料检查,并将通过来料检查的管芯作为待测试管芯的具体步骤包括:
判断位于所述晶圆上的一管芯的表面形貌是否满足预设要求,若是,则将其作为待测试管芯。
6.一种晶圆测试装置,用于对具有多个管芯的晶圆进行测试,其特征在于,包括第一测试模块和第二测试模块;
所述第一测试模块用于对所述晶圆进行来料检查,并将通过来料检查的管芯作为待测试管芯;
所述第二测试模块连接所述第一测试模块,用于对所述待测试管芯进行探针测试,以获取待测试管芯的电性能。
7.根据权利要求6所述的晶圆测试装置,其特征在于,还包括获取模块和标记模块;
所述获取模块连接所述第一测试模块,用于获取异常管芯在所述晶圆上的位置,所述异常管芯为未通过所述来料检查的管芯;
所述标记模块连接所述获取模块,用于将探针晶圆图中与所述异常管芯的位置对应的坐标进行标记,所述探针根据所述探针晶圆图对所述晶圆上的多个管芯进行电性能测试;
所述第二测试模块连接所述标记模块,用于判断当前坐标是否被标记,若是,则控制所述探针跳过当前坐标,以避免对与当前坐标对应的异常管芯进行探针测试。
8.根据权利要求7所述的晶圆测试装置,其特征在于,所述第二测试模块包括清洁单元;所述清洁单元用于判断所述探针表面是否存在污染物,若是,则在对下一管芯测试之前对所述探针进行清理。
9.根据权利要求6所述的晶圆测试装置,其特征在于,所述第二测试模块还包括存储单元和生成单元;
所述存储单元用于存储一探针测试结果图和一标准图,所述探针测试结果图中包括与多个待测试管芯一一对应的探针测试结果;所述标准图中包括与所述晶圆上的管芯一一对应的多个区域;
所述生成单元同时连接所述检测单元与所述存储单元,用于对比所述探针测试结果图与所述标准图,采用预设标注对所述探针测试结果图中缺失的测试结果进行补充,以合成晶圆测试图。
10.根据权利要求6所述的晶圆测试装置,其特征在于,所述第一测试模块用于判断位于所述晶圆上的一管芯的表面形貌是否满足预设要求,若是,则将其作为待测试管芯。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810901038.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造