[发明专利]减压干燥装置在审
| 申请号： | 201810901188.5 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN109390253A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 伏见直茂 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溶剂 减压干燥装置 基板 腔室 底板 收纳 捕集部件 干燥基板 减压状态 遮挡部件 装置结构 捕集部 捕集网 排气口 气化的 脱离 捕集 侧壁 侧端 热容 涂敷 遮挡 室内 延伸 | ||
1.一种减压干燥装置，其特征在于，包括：
腔室，其在底板设置有排气口，收纳涂敷有溶液的基板；和
每1m2的热容为850J/K以下的溶剂捕集部件，其在该腔室内设置于该腔室的顶板与所述基板之间，暂时地捕集从所述基板气化的所述溶液中的溶剂，
所述减压干燥装置在所述腔室内使所述基板上的溶液在减压状态下干燥，
所述减压干燥装置具有遮挡部件，所述遮挡部件从所述腔室的顶板延伸，遮挡在所述溶剂捕集部件的侧端与所述腔室的侧壁之间。
2.如权利要求1所述的减压干燥装置，其特征在于：
所述遮挡部件的下端与所述溶剂捕集部件的下端相比位于下侧。
3.如权利要求2所述的减压干燥装置，其特征在于：
所述遮挡部件的下端与所述溶剂捕集部件的下端在铅垂方向上的距离为1cm以上。
4.如权利要求1～3中任一项所述的减压干燥装置，其特征在于：
所述基板的侧端与所述遮挡部件在水平方向上的距离为1cm以上。
5.如权利要求1～4中任一项所述的减压干燥装置，其特征在于：
所述遮挡部件的每1m2的热容为286J/K以下。
6.如权利要求1～5中任一项所述的减压干燥装置，其特征在于：
所述遮挡部件的每1m2的热容在所述溶剂捕集部件的每1m2的热容以下。
7.如权利要求1～6中任一项所述的减压干燥装置，其特征在于：
所述溶剂捕集部件是由网状部件构成的溶剂捕集网。
8.如权利要求7所述的减压干燥装置，其特征在于：
所述溶剂捕集网的开口率为60％以上且80％以下。
9.如权利要求1～8中任一项所述的减压干燥装置，其特征在于：
从所述基板至所述溶剂捕集部件的距离为从所述基板至所述腔室的顶板的距离的40％以上且60％以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
