[发明专利]一种硅覆绝缘片薄膜

权利要求书

1.一种硅覆绝缘片薄膜，其特征在于通过在提供的高阻硅晶片上形成一层电介质材料（氧化硅），再于电介质材料层上形成一层非晶硅，转移一层氧化硅在非晶硅上，使氧化层上存在单晶硅，从而制备出具有非晶硅层的硅覆绝缘片。

2.一种硅晶绝缘片薄膜，其特征在于所述带有非晶硅层的硅覆绝缘片主要用于电子射频机器。

3.一种硅覆绝缘片薄膜，其特征在于制作工艺包括：（1）提供高阻硅晶片，清洗后在其表面依序制备氧化硅层和非晶硅层，氧化硅层厚度为100-300Å，非晶硅层的厚度为1-10μm;（2）提供低阻硅晶片，清洗后在其表面制备氧化硅层，氧化硅层厚度为1500- 12000Å;（3）将步骤（2）制备有该氧化硅层的该低阻硅晶片进行氢离子注入，使氢离子穿透该氧化硅层注入到硅晶片，并达到所需深度;（4）将高阻硅晶片和低阻硅晶片通过键合方式成为一个整体，然后于400℃条件下的进行处理（5）将步骤（4）键合后的整体采用一微波裂片设备进行裂片，裂片温度于1500℃条件下的进行处理，以获得带有非晶层的该硅覆绝缘片;（6）将带有非晶层的该硅覆绝缘片先采用DHF清洗，以去除高温退火所形成的氧化层，除化学液及表面污染物，进行CMP工艺，得到一种硅覆绝缘片薄膜。