[发明专利]一种利用腐蚀方法及微观检测确定单晶硅晶线的方法

权利要求书

1.一种利用腐蚀方法及微观检测确定单晶硅晶线的方法，其特征在于，包括了以下具体步骤：

a.在已滚磨晶棒端头截取一片单晶硅样片，并标记单晶硅样片与晶棒相对应的位置，以及标记单晶硅样片的测试面；

b.将单晶硅样片的测试面化学剖光至镜面，在中心部位用金刚砂做喷砂处理，然后使用抛光液轻微的酸洗处理干净表面的砂粒；

c.将处理好的单晶硅样片装入花篮中浸入腐蚀液池中，不断摆动花篮，持续腐蚀处理10-40分钟；

d.将腐蚀处理好的单晶硅样片从腐蚀液中取出，利用纯水全方位冲洗10-15次；

e.将冲洗完毕的单晶硅样片放在氮气下通风干燥处理至表面水渍吹干；

f.将干燥处理好的单晶硅样片放置在显微镜的物镜台上，调节显微镜使视场显示出单晶硅样片表面的缺陷形态，缺陷形态一般为方向相同的三角形或方向相同的菱形或方向相同的矩形，按照缺陷形态形状画出相应方向相同的标示线；

g.根据单晶硅样片表面的缺陷形态，画出单晶硅样片的宏观晶线，三角形缺陷形态单晶硅样片沿三角形标示线的三个顶点分别做中垂线与测试面边缘相交，即为单晶硅样片的三角形缺陷形态晶线；菱形缺陷形态单晶硅样片沿菱形标示线两个较远相对的对角线通长画线即为单晶硅样片的菱形缺陷形态晶线；矩形缺陷形态单晶硅样片沿矩形标示线对角线通长画线即为单晶硅样片的矩形缺陷形态晶线；

h.将画好晶线的单晶硅样片对应到相应的单晶硅棒上，画出相应单晶硅棒的宏观晶线。

2.如权利要求1 所述的利用腐蚀方法及微观检测确定单晶硅晶线的方法，其特征在于：所述步骤c中的腐蚀液的配比，具体摩尔比为：氢氟酸：柠檬酸=12.5-20:1-3；其中柠檬酸为HOOCCH2C(OH)(COOH)CH2COOH，氢氟酸为HF。

3.如权利要求1 所述的利用腐蚀方法及微观检测确定单晶硅晶线的方法，其特征在于：所述步骤c中的腐蚀时间，三角形缺陷形态的单晶硅样片腐蚀时间为10-15分钟，菱形缺陷形态的单晶硅样片腐蚀时间为30-40分钟，矩形缺陷形态的单晶硅样片腐蚀时间为30分钟以上。

4.如权利要求1 所述的利用腐蚀方法及微观检测确定单晶硅晶线的方法，其特征在于：所述步骤c中的花篮为专门用于单晶硅酸洗工艺使用的酸洗框。