[发明专利]无镉量子点及其制备方法

权利要求书

1.一种无镉量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，将含III族元素前体、V族元素前体和第一配体的第一原料混合反应，得到III-V族半导体纳米团簇；

S2，将含II族元素前体、VI族元素前体和第二配体的第二原料混合反应，得到II-VI族半导体纳米团簇；

S3，将所述III-V族半导体纳米团簇与所述II-VI族半导体纳米团簇混合反应，得到III-V-II-VI族量子点。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述III-V族半导体纳米团簇为InP团簇、InAs团簇、掺杂InP团簇或掺杂InAs团簇。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，形成所述掺杂InP团簇或所述掺杂InAs团簇的步骤包括：

采用第一阳离子掺杂剂对所述InP团簇进行掺杂，形成所述掺杂InP团簇，或者采用第一阳离子掺杂剂对所述InAs团簇进行掺杂，形成所述掺杂InAs团簇；所述第一阳离子掺杂剂选自Zn、Mg、Ca、Sr、Al、Zr、Fe、Ti、Cr、Si与Ni中的任一种或多种。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述II-VI族 半导体纳米团簇为ZnSe纳米团簇、ZnS纳米团簇、掺杂ZnSe团簇或掺杂ZnS纳米团簇。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，形成所述掺杂ZnSe团簇或所述掺杂ZnS纳米团簇的步骤包括：

采用第二阳离子掺杂剂对所述ZnSe纳米团簇进行掺杂，形成所述掺杂ZnSe团簇，或者采用第二阳离子掺杂剂对所述ZnS纳米团簇进行掺杂，形成所述掺杂ZnS纳米团簇；所述阳离子第二掺杂剂选自Mg、Ca、Sr、Al、Zr、Fe、Ti、Cr、Si与Ni中的任一种或多种。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述VI族元素前体为硒前体。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述硒前体为Se-ODE悬浊液、Se-ODE溶液或烷基膦硒。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述III族元素前体与所述V族元素前体的摩尔比为50:1～1:50。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述III族元素前体与所述V族元素前体的摩尔比为10:1～1:10。

10.根据权利要求1、4、5、6和7中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述II族元素前体与所述VI族元素前体的摩尔比为50:1～1:50。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述II族元素前体与所述VI族元素前体的摩尔比为20:1～1:5。

12.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S3之后，所述制备方法还包括以下步骤：

将II-VI族壳层包覆在所述III-V-II-VI族量子点表面，形成III-V-II-VI/II-VI族核壳量子点。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，将所述III-V族半导体纳米团簇与所述II-VI族半导体纳米团簇中的第一部分混合反应，得到所述III-V-II-VI族量子点核，将所述II-VI族半导体纳米团簇中的第二部分作为所述III-V-II-VI族量子点的壳层，以形成所述III-V-II-VI/II-VI族核壳量子点，其中，所述第一部分与所述第二部分具有不同种类。

14.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中的反应温度为30～200℃。

15.根据权利要求1至7中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中的反应温度为100～280℃。