[发明专利]单晶硅材质精密输液滤膜及其制备方法、过滤器和输液器

权利要求书

1.一种单晶硅材质精密输液滤膜，其特征在于，它包括本体，所述本体具有：

单晶硅滤膜（87），所述单晶硅滤膜（87）上具有多个贯通的滤孔，所述滤孔的孔径为0.2微米~5微米，所述滤孔的深度为2微米~50微米；

设置在单晶硅滤膜（87）的侧面并与单晶硅滤膜（87）连为一体的单晶硅栅格支撑体（86）。

2.根据权利要求1所述的单晶硅材质精密输液滤膜，其特征在于：所述单晶硅栅格支撑体（86）的栅格边长为0.05毫米~10毫米；和/或所述本体的总厚度为100微米~450微米。

3.一种如权利要求1或2所述的单晶硅材质精密输液滤膜的制备方法，其特征在于方法的步骤中含有：

S1：制备单晶硅栅格支撑体半成品；其中，单晶硅栅格支撑体半成品上具有单晶硅栅格支撑体（86）；

S2：在单晶硅栅格支撑体半成品上制备单晶硅滤膜（87）并同时得到单晶硅栅格支撑体（86），形成单晶硅材质精密输液滤膜。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：步骤S1具体为：

取双面抛光单晶硅，并在双面抛光单晶硅的底面沉积抗刻蚀薄膜；

对抗刻蚀薄膜开窗，进行图形化处理，得到图形化薄膜；

经过开窗的图形化薄膜作为刻蚀掩膜，然后对双面抛光单晶硅进行刻蚀，双面抛光单晶硅刻蚀后为单晶硅栅格支撑体半成品；其中，刻蚀的深度控制以孔底部留有2~50微米的厚度为准，孔底部留有的材料作为单晶硅滤膜（87）使用。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤S2具体为：

在单晶硅栅格支撑体半成品的顶面沉积抗刻蚀掩膜层；

对抗刻蚀掩膜层开窗，进行图形化处理，得到图形化膜层；

经过开窗的图形化膜层作为刻蚀掩膜，然后对单晶硅栅格支撑体半成品进行刻蚀，将图形化膜层的图形传递给孔，从而得到单晶硅材质精密输液滤膜。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：还包括步骤S3：在单晶硅滤膜（87）和单晶硅栅格支撑体（86）的表面沉积氧化硅薄膜，然后对沉积了氧化硅薄膜的单晶硅滤膜（87）和单晶硅栅格支撑体（86）的表面通过化学方法进行正电荷处理。

7.一种过滤器，其特征在于：它包括：

如权利要求1或2所述的单晶硅材质精密输液滤膜（83）；

壳体（85），所述单晶硅材质精密输液滤膜（83）设置在壳体（85）内，并且所述壳体（85）被所述单晶硅材质精密输液滤膜（83）分隔为进液腔和出液腔；

输液进口（81），所述输液进口（81）连接在壳体（85）上，并且所述输液进口（81）与所述进液腔相连通；

滤液出口（84），所述滤液出口（84）连接在壳体（85）上，并且所述滤液出口（81）与所述出液腔相连通。

8.根据权利要求7所述的过滤器，其特征在于：它还包括过滤排气口（82），所述过滤排气口（82）连接在壳体（85）上，并且所述过滤排气口（82）与所述出液腔相连通。

9.一种输液器，其特征在于，它包括：

如权利要求7至8中任一项所述的过滤器；

导管（5），所述导管（5）的一端与过滤器（8）的滤液出口（84）相连通；

滴速管（4），所述滴速管（4）的一端与所述导管（5）的另一端相连通；

穿刺组件，所述穿刺组件连接在滴速管（4）上；

速度调节器（7），所述速度调节器（7）设置在导管（5）上。

10.根据权利要求9所述的输液器，其特征在于：它还包括三通件，所述三通件的进口与过滤器（8）的滤液出口（84）相连通，所述三通件的一分口与导管（5）的一端相连通，所述三通件的另一分口为加注口（6）。