[发明专利]一种凹形光阻涂布的制作过程

说明书

本发明公开了一种凹形光阻涂布的制作过程,包括如下步骤：步骤1：先将蓝宝石芯片放置在电浆清洗机腔体内部，利用氧电浆去除表面有机物质与改变电荷分布状态；步骤2：在进行光阻涂布之前，将附着剂喷涂至蓝宝石芯片表面；增加蓝宝石芯片对光阻附着力，对附着剂进行二次涂布喷涂达到稳定膜厚分布的效果；涂布完附着剂并旋转蓝宝石芯片；步骤3：进行第一次喷涂光阻；光阻喷头置于蓝宝石芯片中心进行喷涂；步骤5：光阻喷头移至距蓝宝石芯片中心点250mm处，进行第二次光阻喷涂；步骤6：将旋转转速提升至2000～3000rpm用喷枪蓝宝石芯片去除多余光阻，冲洗蓝宝石芯片背面去除多余光阻；本发明制作的蓝宝石芯片上光阻为中间薄外围厚的分布状态。

技术领域

本发明涉及一种凹形光阻涂布的制作过程，属于航标设备技术领域。

背景技术

通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。

蓝宝石的硬度非常高，在自然材料中其硬度仅次于金刚石，但是在LED器件的制作过程中却需要对它进行减薄和切割(从400μm减到100μm左右)。

现有技术中到蓝宝石芯片上光阻为均匀分布的状态。在蚀刻机进行干蚀刻时，乘载芯片的托盘因热效应，所造成的成品图形高度由内向外均匀没有层次感觉，制作出来的蓝宝石芯片涂布层高度差异比较大。制作出来的蓝宝石芯片整体均匀性不好。

发明内容

本发明要解决的现有技术中到蓝宝石芯片上光阻为均匀分布的状态。在蚀刻机进行干蚀刻时，乘载芯片的托盘因热效应，所造成的成品图形高度由内向外均匀没有层次感觉。制作出来的蓝宝石芯片整体均匀性不好的技术问题是克服现有技术功能不够完善的缺陷，提供一种凹形光阻涂布的制作过程。

为了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案：

设计一种凹形光阻涂布的制作过程,包括如下步骤：

步骤1：先将蓝宝石芯片放置在电浆清洗机腔体内部，利用氧电浆去除表面有机物质与改变电荷分布状态；用以改善蓝宝石芯片对光阻附着力，对抗进行凹形光阻涂布制作时，因旋转转速剧烈变化造成的光阻厚度不稳定性；

步骤2：在进行光阻涂布之前，将附着剂喷涂至蓝宝石芯片表面；增加蓝宝石芯片对光阻附着力，对附着剂进行二次涂布喷涂达到稳定膜厚分布的效果；涂布完附着剂并旋转蓝宝石芯片；

步骤3：进行第一次喷涂光阻；光阻喷头置于蓝宝石芯片中心进行喷涂，旋转转速达至6000～8000rpm；

步骤4：步骤3完成之后旋转转速降至300～500rpm，持续的时间为1～3秒；

步骤5：光阻喷头移至距蓝宝石芯片中心点250mm处，进行第二次光阻喷涂，光阻喷头置于距蓝宝石芯片中心250mm处；

步骤6：将旋转转速提升至2000～3000rpm用喷枪蓝宝石芯片去除多余光阻，冲洗蓝宝石芯片背面去除多余光阻；

步骤7：然后蓝宝石芯片在常温环境下进行冷却；

步骤8：将涂布完成蓝宝石芯片放置电炉内部进行软烤步骤，结束软烤步骤后再放置冷盘中进行冷却即可完成凹光阻涂布制程。

优选的，所述步骤5的喷涂速度为一秒内喷出0.8cc的光阻液，旋转转速为1000～1500rpm。

优选的，所述步骤3和步骤4的喷涂速度均为：0.5秒内喷出1.2cc的光阻液。

优选的，所述步骤2中附着剂的型号为BAOCH水性附着剂。