[发明专利]图像传感器、电子装置及其制造方法在审
申请号: | 201810905286.6 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN109003995A | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 武海亮;陈世杰;黄晓橹 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 周阳君 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 白色滤色器 图像传感器 像素传感器阵列 彩色滤色器 开口 滤色器阵列 电子装置 容纳 侧壁 受光 栅格 像素传感器 滤色器 面积比 光量 制造 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于所述图像传感器包括:
像素传感器阵列;
栅格,布置在所述像素传感器阵列之上且具有对应于所述像素传感器阵列中的像素传感器的开口;
滤色器阵列,每个滤色器容纳在所述栅格的一个开口中,所述滤色器阵列包括白色滤色器和彩色滤色器;
其中容纳所述白色滤色器的开口的一个或者多个侧壁的厚度较容纳所述彩色滤色器的开口的侧壁厚度更厚,使得白色滤色器的受光面积比彩色滤色器的受光面积更小,以减少进入到与所述白色滤色器对应的像素传感器的光量。
2.一种图像传感器,其特征在于所述图像传感器包括:
像素传感器阵列;
第一栅格,布置在所述像素传感器阵列之上且具有对应于所述像素传感器阵列中的像素传感器的开口;
滤色器阵列,每个滤色器容纳在所述第一栅格的一个开口中,所述滤色器阵列包括白色滤色器和彩色滤色器;
光阻挡件,布置在容纳所述白色滤色器的开口中,以减少进入到与白色滤色器对应的像素传感器的光量。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中所述光阻挡件是布置在所述像素传感器阵列上且在容纳所述白色滤色器的开口中形成的第二栅格。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,所述第二栅格与所述第一栅格一体形成。
5.根据权利要求2所述的图像传感器,所述光阻挡件形成在所述白色滤色器之上。
6.根据权利要求2所述的图像传感器,所述光阻挡件形成在所述白色滤色器之下。
7.根据权利要求2所述的图像传感器,当所述光阻挡件由不透明材料形成时,所述光阻挡件的受光面积小于所述白色滤色器的受光面积。
8.根据权利要求2所述的图像传感器,当所述光阻挡件由半透明材料形成时,所述光阻挡件的受光面积小于或者等于所述白色滤色器的受光面积。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的图像传感器,所述彩色滤色器包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。
10.根据权利要求1-8中任一项所述的图像传感器,所述图像传感器包括微透镜,具有凸形上表面和基本平坦的下表面,所述下表面与所述滤色器的上表面邻接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的