[发明专利]分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法在审
| 申请号： | 201810905896.6 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109375088A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 邱德明;张振峰;杨国良 | 申请（专利权）人： | 武汉盛为芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;H01S5/00 |
| 代理公司： | 武汉维创品智专利代理事务所(特殊普通合伙) 42239 | 代理人： | 余丽霞 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 脉冲电流 分布反馈半导体激光器 光功率 施加 芯片测试过程 温升 芯片 持续脉冲 发光电流 供电过程 芯片散热 芯片施加 选择测量 低电平 占空比 记录 采集 测试 | ||
【权利要求书】：
1.分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)向分布反馈半导体激光器芯片连续施加脉冲电流Ii；
(2)施加脉冲电流0＜Ii≤100mA；
(3)施加脉冲电流Ii的时间间隔是5-20μs，脉冲电流Ii的占空比为50％；
(4)每次施加脉冲电流时，采集分布反馈半导体激光器芯片在各个脉冲电流Ii的光功率，记录每个脉冲电流Ii下的光功率P；
(5)根据光功率P记录分布反馈半导体激光器芯片的发光电流的阈值Ith；
(6)将脉冲电流Ii的时间间隔设置为5-20μs，将该范围内的时间间隔测试的发光电流的阈值Ith与标准发光电流的阈值相比较，选择测量误差最小作为脉冲电流Ii的时间间隔标准值，用于每次的分布反馈半导体激光器芯片测试施加脉冲电流Ii时间间隔。
2.根据权利要求1所述的分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法，其特征在于，脉冲电流Ii的时间间隔是5-10μs。
3.根据权利要求1所述的分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法，其特征在于，采集半导体激光器发光单元的光功率P是通过发光单元放大元件和光收集器实现，发光单元放大元件为透镜系统，光收集器为光纤。
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