[发明专利]改善栅极导电层保护层膜厚稳定性的方法及设备

权利要求书

1.一种改善栅极导电层保护层膜厚稳定性的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、提供一种改善栅极导电层保护层膜厚稳定性的设备，所述设备包括氮化硅沉积炉管机台、自动去膜驱动装置、批次控制装置及膜厚设定装置，所述氮化硅沉积炉管机台用于制作栅极导电层沉积保护层的制程；所述自动去膜驱动装置连接所述氮化硅沉积炉管机台，用于驱动所述氮化硅沉积炉管机台，以执行所述氮化硅沉积炉管机台内部件上积累的薄膜的自动去除；所述批次控制装置中设有预设值处理单元和补偿值处理单元，所述预设值处理单元用于设定所处理批次的预设参数值(default)；所述补偿值处理单元用于设定所处理批次的记数补偿值；所述记数补偿值匹配于同一个自动去膜周期中在未使用所述批次控制装置时所对应批次和前一批次的膜厚偏差值(Offset(1st～2nd))，所述记数补偿值对应所述处理批次的批次次序补偿修正所述预设参数值(default)；所述膜厚设定装置用来收集每个所述氮化硅沉积炉管机台在一个自动去膜周期内各个制程沉积的薄膜的厚度并设定膜厚目标值；S1步骤包括：向所述氮化硅沉积炉管机台载入装有晶圆的晶舟；开启所述批次控制装置；设置所述批次控制装置内所述预设值处理单元中膜厚目标值；

S2、经由所述批次控制装置驱动所述氮化硅沉积炉管机台，以进行氮化硅沉积工艺，包括进行第一批次处理，第一批次处理结束后所述膜厚设定装置检测到的膜厚值为C1；进行第二批次处理，第二批次处理结束后所述膜厚设定装置检测到的膜厚值为C2；直到进行第n批次处理，第n批次处理结束后所述膜厚设定装置检测到的膜厚值为Cn；

S3、当所述第n批次处理后检测到的膜厚值到达所述膜厚目标值，自动激活所述自动去膜驱动装置内的触发组件，令所述氮化硅沉积炉管机台开始自动去膜；当自动去膜结束后，自动触发所述自动去膜驱动装置内停止组件，以关闭所述氮化硅沉积炉管机台的自动去膜操作，同时使批次计数值自动归零，并使所述自动去膜驱动装置将自动去膜信息反馈给所述批次控制装置，以进行步骤S2的第一批处理；

S4、所述批次控制装置内的所述补偿值处理单元将通过步骤S3收集到的数据进行处理，将前后批次处理后膜厚的差值D1、D2、D3……Dn换算成连续运行补偿值f(x)并调用步骤S2所对应批次在次序补偿修正后的所述预设参数值为当批次处理的预设参数值，其中x＝1，1，2，3，4……n-1，n为正整数，当所述氮化硅沉积炉管机台处理到第二批次或第二批次后不同批次时自动加减相应的所述连续运行补偿值f(x)与当批次处理的预设参数值，以进行步骤S2的第二批次或者第二批次后处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S3的膜厚检测点依照所述氮化硅沉积炉管机台的高度划分有顶部检测点、上半段检测点、中部检测点、及底部检测点。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S3达到自动去膜的两个触发时机之间的步骤S2中，在同一个自动去膜周期内所有批次制程沉积的薄膜厚度皆介于1770埃～1830埃，以供形成为集成电路晶体管的所述栅极导电层保护层。

4.一种改善栅极导电层保护层膜厚稳定性的设备，其特征在于，所述设备包括氮化硅沉积炉管机台、自动去膜驱动装置、批次控制装置及膜厚设定装置，

所述氮化硅沉积炉管机台用于制作栅极导电层沉积保护层的制程；所述自动去膜驱动装置连接所述氮化硅沉积炉管机台，用于驱动所述氮化硅沉积炉管机台，以执行所述氮化硅沉积炉管机台内部件上积累的薄膜的自动去除；

所述批次控制装置中设有预设值处理单元和补偿值处理单元，所述预设值处理单元用于设定所处理批次的预设参数值(default)；所述补偿值处理单元用于设定所处理批次的记数补偿值；所述记数补偿值匹配于同一个自动去膜周期中在未使用所述批次控制装置时所对应批次和前一批次的膜厚偏差值(Offset(1st～2nd))，所述记数补偿值对应所述处理批次的批次次序补偿修正所述预设参数值(default)；

所述膜厚设定装置用来收集每个所述氮化硅沉积炉管机台在一个自动去膜周期内各个制程沉积的薄膜的厚度并设定膜厚目标值。

5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述氮化硅沉积炉管机台内设置至少一个以上检测点。