[发明专利]一种硅片的清洗方法及硅片

说明书

本发明涉及微电子技术领域，公开了一种硅片的清洗方法，首先，制备酸性清洗剂；接着，将硅片放入酸性清洗剂中浸泡；最后，从酸性清洗剂中取出硅片，将硅片放入去离子水中进行清洗，以完成硅片的清洗。由于该硅片的清洗方法采用酸性清洗剂对硅片进行酸洗，因此易于将硅片上的金属等各种杂质和表面污迹清洗掉，并且确保了不会划伤硅片，从而提高了硅片的使用寿命。此外，由于该硅片的清洗方法易于采用自动化生产作业实现，因此有利于节省硅片的清洗时间和降低硅片的清洗成本。

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，特别是涉及一种硅片的清洗方法及硅片。

背景技术

在硅片的加工过程中，硅片的表面往往会沾染各种杂质，由于杂质的形成容易划伤硅片的表面，从而导致给半导体元器件的形成造成不良影响，并且也会影响硅片的后续加工工艺的进一步处理。因此，有必要对硅片进行清洗，以清除硅片上沾染的各种杂质。

目前，现有硅片的清洗方法一般以手工刷洗和擦洗为主，由于采用手工刷洗和擦洗的方法会导致硅片上的金属杂质不易清除，并且容易划伤硅片，从而降低了硅片的使用寿命。

发明内容

本发明的目的是提供一种硅片的清洗方法及硅片，其能有效清除硅片上的各种杂质，并且避免划伤硅片，从而提高了硅片的使用寿命。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种硅片的清洗方法，包括：

制备酸性清洗剂；

将所述硅片放入所述酸性清洗剂中浸泡；

从所述酸性清洗剂中取出所述硅片，将所述硅片放入去离子水中进行清洗。

作为优选方案，所述制备酸性清洗剂具体为：

将硫酸溶液、氢氟酸溶液和水进行混合，制备酸性清洗剂。

作为优选方案，所述硫酸溶液的质量百分浓度为25％-35％，所述氢氟酸溶液的质量百分浓度为20％-30％，所述硫酸溶液、所述氢氟酸溶液和所述水的质量比为1:1:4-1:1:6。

作为优选方案，所述将所述硅片放入所述酸性清洗剂中浸泡具体为：

将所述硅片放入所述酸性清洗剂中浸泡30min-40min；其中，所述酸性清洗剂的温度为45℃-50℃。

作为优选方案，所述从所述酸性清洗剂中取出所述硅片，将所述硅片放入去离子水中进行清洗具体为：

从所述酸性清洗剂中取出所述硅片，将所述硅片放入去离子水中进行超声波清洗25min-35min；其中，超声波的频率为15kHz-25kHz，所述去离子水的温度为40℃-60℃。

作为优选方案，所述硅片的清洗方法还包括：

从所述去离子水中取出所述硅片，吹干所述硅片。

作为优选方案，所述从所述去离子水中取出所述硅片，吹干所述硅片具体为：

从所述去离子水中取出所述硅片，用温度为45℃-55℃的风吹干所述硅片。

为了解决相同的技术问题，本发明还提供一种硅片，所述硅片经由上述的硅片的清洗方法进行清洗。

本发明提供一种硅片的清洗方法，首先，制备酸性清洗剂；接着，将硅片放入酸性清洗剂中浸泡；最后，从酸性清洗剂中取出硅片，将硅片放入去离子水中进行清洗，以完成硅片的清洗。由于该硅片的清洗方法采用酸性清洗剂对硅片进行酸洗，因此易于将硅片上的金属等各种杂质和表面污迹清洗掉，并且确保了不会划伤硅片，从而提高了硅片的使用寿命。此外，由于该硅片的清洗方法易于采用自动化生产作业实现，因此有利于节省硅片的清洗时间和降低硅片的清洗成本。

附图说明