[发明专利]三维结构的半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

存储器单元阵列，该存储器单元阵列设置在基板上；

多条位线，所述多条位线设置在所述存储器单元阵列上，每条位线沿着与所述基板的顶表面平行的第一方向延伸并且被划分成第一位线段和第二位线段；以及

多个源极线焊盘，所述多个源极线焊盘在所述位线的所述第一位线段和所述位线的所述第二位线段之间与所述位线设置在同一层。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中，所述源极线焊盘通过穿过所述存储器单元阵列的相应的第一接触件与所述基板连接。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

侧壁绝缘层，该侧壁绝缘层设置在多个所述第一接触件中的每一个的外壁处并且将所述第一接触件和所述存储器单元阵列电隔离；

第一绝缘层，该第一绝缘层设置在所述基板上并且覆盖所述存储器单元阵列；

第二绝缘层，该第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上并且支承所述位线和所述源极线焊盘；以及

多条连接线，所述多条连接线设置在所述第一绝缘层上，所述多条连接线中的每一条的一端通过第二接触件与对应位线的所述第一位线段连接，并且所述多条连接线中的每一条的另一端通过第三接触件与所述对应位线的所述第二位线段连接。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述存储器单元阵列包括：

多个存储器块，所述多个存储器块中的每一个包括沟道结构、多个栅电极层和多个第一层间绝缘层，所述沟道结构沿着与所述基板的顶表面垂直的垂直方向从所述基板的顶表面延伸并且电连接到所述位线，所述多个栅电极层和所述多个第一层间绝缘层交替地层叠在所述基板的上方并且与所述沟道结构邻近；以及

虚设块，该虚设块包括交替地层叠在所述基板的上方的多个虚设栅电极层和多个第二层间绝缘层。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述源极线焊盘在所述垂直方向上与所述虚设块交叠，并且所述第一接触件穿过所述虚设块。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述虚设块沿着与所述基板的顶表面平行并与所述第一方向交叉的第二方向延伸，并且所述源极线焊盘沿着所述第二方向设置。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述存储器单元阵列包括多个存储器块，

其中，所述多个存储器块中的每一个包括：

沟道结构，所述沟道结构各自沿着与所述基板的顶表面垂直的垂直方向从所述基板的顶表面延伸并且与所述位线中的一条电连接；以及

多个栅电极层，所述多个栅电极层与多个第一层间绝缘层交替地层叠在所述基板的上方并且与所述沟道结构邻近。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述源极线焊盘中的每一个在所述垂直方向上与所述多个存储器块中的至少一个存储器块交叠，并且第一接触件穿过所述多个存储器块中的所述至少一个存储器块。

9.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述存储器块沿着与所述基板的顶表面平行并与所述第一方向交叉的第二方向延伸，并且

所述源极线焊盘沿着与所述基板的顶表面平行并与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向设置。