[发明专利]利用共享的共基极偏置的功率放大方法

说明书

本申请涉及利用共享的共基极偏置的功率放大方法。一种在功率放大系统的控制器处的功率放大方法，所述功率放大系统包括多个共射共基放大器区块，所述方法包括：接收频带选择信号，所述频带选择信号指示将要放大和发射的射频输入信号的一个或多个频率带；偏置所述多个共射共基放大器区块中的每个的共基极级；以及偏置所述多个共射共基放大器区块的子集的共射极级。

本申请是2015年9月29日提交的题为“具有共享的共基极偏置的功率放大系统”的发明专利申请201510634235.0的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请主张2015年2月15日提交的题为“COMMON CASCODE BASE BIASING”的美国临时申请No.62/116,497的优先权，其公开内容特此通过引用明确地整体合并于此。

技术领域

本申请总体上涉及功率放大器。

背景技术

功率放大系统可包括与多个频率带对应的多个功率放大器级。偏置(biasing)每个功率放大器级，尤其是在每个级包括多个晶体管时，可能包括重复的偏置(bias)电路系统、控制电路系统和对应的路由。

发明内容

根据一些实施方式，本申请涉及一种在功率放大系统的控制器处的功率放大方法，所述功率放大系统包括多个共射共基放大器区块，所述方法包括：接收频带选择信号，所述频带选择信号指示将要放大和发射的射频输入信号的一个或多个频率带；偏置所述多个共射共基放大器区块中的每个的共基极级；以及偏置所述多个共射共基放大器区块的子集的共射极级。

根据一些实施方式，本申请涉及一种功率放大系统。所述功率放大系统包括多个共射共基放大器区块。所述多个共射共基放大器区块中的每一个包括第一晶体管和第二晶体管。所述功率放大器系统包括多个共射极偏置部件。所述多个共射极偏置部件中的每一个耦接到所述多个共射共基放大器区块中相应的一个的所述第一晶体管的基极，并且是可控的以偏置所述多个共射共基放大器区块中所述相应的一个的所述第一晶体管。所述功率放大系统包括共基极偏置部件，其耦接到所述多个共射共基放大器区块中的每一个的所述第二晶体管的基极，并且是可控的以偏置所述多个共射共基放大器区块中的每一个的所述第二晶体管。

在一些实施例中，所述功率放大系统还可包括控制器，所述控制器配置为基于频带选择信号控制所述多个共射极偏置部件。在一些实施例中，所述控制器可配置为基于所述频带选择信号使能所述多个共射极偏置部件中的一个或多个以提供相应的第一偏置信号给所述多个共射共基放大器区块中的相应的一个或多个的所述第一晶体管的基极。在一些实施例中，所述控制器可配置为不论所述频带选择信号为何，使能所述共基极偏置部件以提供第二偏置信号给所述多个共射共基放大器区块中的每个的所述第二晶体管的基极。

在一些实施例中，所述第一偏置信号可以是基于目标输出功率的。在一些实施例中，所述第二偏置信号可以是基于目标输出功率的。

在一些实施例中，所述第二偏置信号可以源自耦接到所述共基极偏置部件并且由来自电池的电压供电的电流源。在一些实施例中，所述第一偏置信号可以源自耦接到所述多个共射极偏置部件中的所述一个或多个并且由来自电池的电压供电的相应电流源。

在一些实施例中，所述功率放大系统还可包括多个RC去耦部件。每个RC去耦部件可包括电阻器和电容器，所述电阻器耦接在所述共基极偏置部件与所述多个共射共基放大器区块中的相应一个的第二晶体管的基极之间，所述电容器耦接在所述多个共射共基放大器区块中的相应一个的所述第二晶体管的基极与地电压之间。

在一些实施例中，所述多个共射共基放大器区块中的每个的所述第二晶体管的集电极可以经由相应的电感器耦接到供电电压。