[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 201810907525.1 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN110459255B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 清水佑树;镰田义彦;小林司;片冈秀之;加藤光司;藤本巧;铃木良尚;清水有威 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/30 | 分类号: | G11C16/30;G11C5/14 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘英华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置,具备:
第一面,具有第一存储元件阵列和第一周边电路,该第一存储元件阵列具有多个第一块,该第一周边电路与上述第一存储元件阵列连接;
第二面,具有第二存储元件阵列和第二周边电路,该第二存储元件阵列具有多个第二块,该第二周边电路与上述第二存储元件阵列连接;
第一电源焊盘,被从外部供给第一电源电压;
第二电源焊盘,被从外部供给比上述第一电源电压低的第二电源电压;
第三电源焊盘,被从外部供给上述第二电源电压;
第四电源焊盘,被从外部供给上述第二电源电压;
第一布线,与上述第二电源焊盘及上述第三电源焊盘连接;
第二布线,与上述第三电源焊盘及上述第四电源焊盘连接,且不同于上述第一布线;以及
控制电路,构成为能够非同步且并行地执行第一读出动作及第二读出动作,在上述第一读出动作中,从上述多个第一块的任一个读出数据,在上述第二读出动作中,从上述多个第二块的任一个读出数据,
上述多个第一块共通连接于第一源极线,
上述多个第二块共通连接于第二源极线,
上述第一周边电路包括:
第一晶体管,第一端与上述第一源极线连接,第二端与上述第一布线连接;以及
第一比较电路,第一输入端与上述第一源极线连接,第二输入端被供给第一参照电压,输出端与上述第一晶体管的栅极连接,
上述第二周边电路包括:
第二晶体管,第一端与上述第二源极线连接,第二端与上述第二布线连接;以及
第二比较电路,第一输入端与上述第二源极线连接,第二输入端被供给第二参照电压,输出端与上述第二晶体管的栅极连接。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,
还具备第三布线,该第三布线不同于上述第一布线及上述第二布线,且与上述第二电源焊盘、上述第三电源焊盘及上述第四电源焊盘电连接,
上述第一周边电路及上述第二周边电路与上述第三布线电连接,
上述控制电路构成为,基于上述第一周边电路执行上述第一读出动作,基于上述第二周边电路执行上述第二读出动作。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,还具备:
第三布线,不同于上述第一布线及上述第二布线,且与上述第二电源焊盘及上述第三电源焊盘电连接;以及
第四布线,不同于上述第一布线、上述第二布线及上述第三布线,且与上述第三电源焊盘及上述第四电源焊盘电连接;
上述第一周边电路与上述第三布线电连接;
上述第二周边电路与上述第四布线电连接,
上述控制电路构成为,基于上述第一周边电路执行上述第一读出动作,基于上述第二周边电路执行上述第二读出动作。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,
上述控制电路构成为,基于上述第一周边电路执行上述第一读出动作,基于上述第二周边电路执行上述第二读出动作。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,还具备:
第三晶体管,包括:能够与上述第一存储元件阵列所包括的第一存储元件的栅极电连接的第一端及经由上述第一布线而与上述第二电源焊盘及上述第三电源焊盘电连接的第二端;以及
第四晶体管,包括:能够与上述第二存储元件阵列所包括的第二存储元件的栅极电连接的第一端及经由上述第二布线而与上述第三电源焊盘及上述第四电源焊盘电连接的第二端。
6.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,还具备:
第五晶体管,包括:能够与上述第一存储元件阵列所包括的第一存储元件的第二端电连接的第一端及经由上述第一布线而与上述第二电源焊盘及上述第三电源焊盘电连接的第二端;以及
第六晶体管,包括:能够与上述第二存储元件阵列所包括的第二存储元件的第二端电连接的第一端及经由上述第二布线而与上述第三电源焊盘及上述第四电源焊盘电连接的第二端。
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