[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.半导体装置的制造方法，包括：

在一基底之上沉积一第一介电层，其中该基底包含一栅极结构具有一金属栅极层；

在该第一介电层中形成一开口，以露出相邻于该栅极结构的该基底的一部分，并且在该开口内沉积一第一金属层；

在该第一介电层之上和该第一金属层之上沉积一第二介电层；

蚀刻该第一介电层和该第二介电层，以形成一栅极导孔的开口，其中该栅极导孔的开口露出该栅极结构的该金属栅极层；

移除该第二介电层的一部分，以形成一接触件开口，该接触件开口露出该第一金属层，其中该栅极导孔的开口和该接触件开口合并以形成一复合开口；以及

在该复合开口内沉积一第二金属层，其中该第二金属层经由该第二金属层的一栅极导孔部分，电性连接该栅极结构的该金属栅极层至该第一金属层，其中该第二金属层是与该栅极结构的侧壁上的侧壁间隔物分隔开来。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括：

在沉积该第一金属层之后和沉积该第二介电层之前，在该基底之上沉积一接触蚀刻停止层，且在该接触蚀刻停止层上沉积该第二介电层。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，还包括：

蚀刻该第一介电层、该接触蚀刻停止层和该第二介电层，以形成该栅极导孔的开口。

4.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，还包括：

移除该第二介电层的该部分和该接触蚀刻停止层的一部分，以形成该接触件开口，该接触件开口露出该第一金属层。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括：

在该第一介电层中形成该开口之后和沉积该第一金属层之前，在该基底的该露出的部分上形成一硅化物层，该露出的部分相邻于该栅极结构；以及

在该硅化物层之上沉积该第一金属层。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括：

在沉积该第一金属层之后，进行一化学机械研磨工艺，其中该化学机械研磨工艺将该半导体装置的顶面平坦化，且其中该第一介电层的一部分在进行该化学机械研磨工艺之后保留。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该第一介电层和该第二介电层包含一层间介电层。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中相邻于该栅极结构的该基底的露出部分包含一源极区、一漏极区或一本体接触区。

9.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该栅极导孔的开口对齐该栅极结构的该金属栅极层。

10.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中该第二金属层电性连接该栅极结构的该金属栅极层至该第一金属层，且其中该第一金属层电性连接至该源极区、该漏极区或该本体接触区。

11.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成一第一金属层，该第一金属层邻接于一栅极结构的一侧壁，其中该第一金属层接触位于该第一金属层下方的一基底的一区，且其中该栅极结构包含一金属栅极；

在该基底之上沉积一第一介电层；

蚀刻在该栅极结构之上的一区中的该第一介电层，以形成一栅极导孔的开口，其中该栅极导孔的开口露出该栅极结构的该金属栅极；

蚀刻在该第一金属层之上的一区中的该第一介电层，以形成一接触件导孔的开口，其中该接触件导孔的开口露出该第一金属层；

从该栅极导孔的开口与该接触件导孔的开口之间的一区移除该第一介电层，以形成一接触件开口，其中该接触件开口、该栅极导孔的开口和该接触件导孔的开口合并，以形成一复合开口；以及

在该复合开口内形成一第二金属层，经由该第二金属层的一栅极导孔部分和一接触件导孔部分，电性连接该栅极结构的该金属栅极至该第一金属层。