[发明专利]一种夹持空心组合硅芯的卡件有效

专利信息
申请号: 201810907826.4 申请日: 2018-08-10
公开(公告)号: CN109133065B 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 杨楠;李剑;黄培恩 申请(专利权)人: 上海硕余精密机械设备有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 陶金龙;尹一凡
地址: 200000 上海市奉贤区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 夹持 空心 组合
【说明书】:

发明公开了一种夹持空心组合硅芯的卡件,包括底座、卡瓣、锁紧螺母和内块,所述卡瓣安装在所述底座上,所述卡瓣为空心的锥形结构,所述锁紧螺母安装在所述卡瓣和底座连接处的外围,所述锁紧螺母含有贯通孔。所述贯通孔的侧壁下端与所述底座的外侧壁通过螺纹连接,所述贯通孔的侧壁上端与所述卡瓣的外侧壁密切贴合。所述内块位于所述卡瓣内,且所述内块的下端连接所述底座的上表面,所述内块的外侧壁与所述卡瓣的内侧壁之间保持间隙,该间隙用于放置组合硅芯。本发明提供的一种夹持空心组合硅芯的卡件,结构简单,能够夹持空心组合硅芯,使得晶体硅的沉积效率更高,缩短了沉积时间,降低了能耗。

技术领域

本发明涉及晶体管生产领域,具体涉及一种夹持空心组合硅芯的卡件。

背景技术

晶体硅是制备半导体和光伏电池的原材料。改良西门子法和SiH4法是国际上生产晶体硅的主流技术,其主要原理为:原料气体在钟罩式还原炉内,在炽热的硅芯表面发生化学气相沉积反应生成晶体硅。硅芯的根部被夹持在卡件上,竖直安装在晶体硅还原炉内。硅芯表面积越大,沉积速度越快,整体沉积时间越短,能耗越低。

组合硅芯是由若干硅条或矩形硅芯首尾相连拼接而成,不需要拉制难度较大的空心硅芯,具有制造难度低、结晶效率高以及使用成本低的特点,适合在多晶硅领域大面积推广和应用。组合硅芯的排列形式有多种,典型的有多边形空心组合硅芯。而使用多边形空心组合硅芯可以极大地提高晶体硅还原炉沉积载体的表面积和晶硅生长效率,能够缩短整体沉积时间,降低能耗。

但是,目前晶体硅还原炉所用的硅芯夹持卡件,一套夹持卡件仅能夹持一根硅芯,不能夹持组合硅芯,使得沉积表面积小,沉积速度慢。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种夹持空心组合硅芯的卡件,结构简单,能够夹持组合硅芯,使得晶体硅的沉积效率更高,缩短了沉积时间,降低了能耗。

为了实现上述目的,本发明采用的技术方案为:一种夹持空心组合硅芯的卡件,包括底座、卡瓣、锁紧螺母和内块,所述卡瓣安装在所述底座上,所述卡瓣为空心的锥形结构,且所述卡瓣连接所述底座一端的水平截面面积大于远离底座一端的水平截面面积,所述锁紧螺母安装在所述卡瓣和底座连接处的外围,所述锁紧螺母含有贯通孔,所述贯通孔的侧壁下端与所述底座的外侧壁通过螺纹连接,所述贯通孔的侧壁上端与所述卡瓣的外侧壁密切贴合,所述卡瓣的上表面不低于所述锁紧螺母的上表面;所述内块位于所述卡瓣内,且所述内块的下端连接所述底座的上表面,所述内块的外侧壁与所述卡瓣的内侧壁之间保持间隙,该间隙用于放置组合硅芯;当组合硅芯放置于该间隙时,旋转所述锁紧螺母向下运动,使得所述卡瓣、组合硅芯根部和内块之间的接触面得以紧密结合,从而稳定夹持组合硅芯。

进一步地,所述卡瓣为整体结构,且所述卡瓣的的上端为M个均匀分布的卡瓣开口,所述M个卡瓣开口均与所述内块之间保持间隙,所述内块为与所述卡瓣开口对应的M边形,当所述锁紧螺母向下拧紧时,所述卡瓣开口、组合硅芯根部和内块之间的接触面得以紧密结合;其中,M为大于1的整数。

进一步地,所述卡瓣包括N个分割体,且所述N个分割体在所述锁紧螺母的贯通孔中组合成外侧壁为锥形的卡瓣,所述N个分割体与所述内块之间均保持间隙,所述内块为与所述分割体对应的N边形,当所述锁紧螺母向下拧紧时,所述分割体、组合硅芯根部和内块之间的接触面得以紧密结合;其中,N为大于1的整数。

进一步地,所述卡瓣的外侧壁为圆锥体,所述贯通孔为圆形,当所述锁紧螺母向下旋转运动时,所述卡瓣、内块和底座的位置保持不变,从而使得所述卡瓣、组合硅芯根部和内块之间的接触面得以紧密结合。

进一步地,所述卡瓣的外侧壁为棱锥体,所述贯通孔为多边形,当所述锁紧螺母向下旋转运动时,所述卡瓣随着所述锁紧螺母旋转,且所述内块和底座的位置保持不变,所述卡瓣、组合硅芯根部和内块之间的接触面得以紧密结合进一步地,所述内块与所述底座的轴心线重合。

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