[发明专利]一种移动机器人电源处理系统在审

专利信息
申请号: 201810907925.2 申请日: 2018-08-10
公开(公告)号: CN108767816A 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 李开霞;胡晓娟;丁玲;赵江海;孙鹏;花加丽;刘曼曼 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: H02H7/18 分类号: H02H7/18;H01M10/42;H02M3/04;H03K17/567
代理公司: 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 代理人: 王清
地址: 230000 *** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 开关电路 移动机器人 电池状态监测电路 电源处理系统 输出端 电源转换电路 电池输出端 输入端连接 信号输出端 安全节能 电池状态 能源供给 智能管理 控制端 输入端 可控 电池 监测 灵活 智能
【权利要求书】:

1.一种移动机器人电源处理系统,其特征在于:包括电池状态监测电路、MCU芯片、电源转换电路、第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路和第四开关电路,所述电池状态监测电路连接电池输出端,用于对电池状态进行监测,所述MCU芯片的输入端连接电池状态监测电路的信号输出端,MCU芯片的输出端分别连接第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路和第四开关电路的控制端,所述第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路和第四开关电路的输入端分别连接电池的输出端,所述第一开关电路的输出端连接电源转换电路的输入端,电源转换电路的输出端连接MCU芯片的电源端,所述第二开关电路的输出端连接机器主控电路,所述第三开关电路的输出端连接电机驱动电路,所述第四开关电路的输出端连接传感系统电路。

2.根据权利要求1所述的一种移动机器人电源处理系统,其特征在于:所述电源转换电路包括第一电容、第二电容、第三电容、降压电源芯片、稳压二极管和电感线圈,降压电源芯片的输入端连接第一开关电路的输出端,第一电容的正极端连接降压电源芯片的输入端,第一电容的负极端接地,,稳压二极管的阴极接降压电源芯片的输出端,稳压二极管的阳极接地,电感线圈的一端接稳压二极管的阴极,电感线圈的另一端为电源输出端,第二电容的正极端接电感线圈的电源输出端,第二电容的负极端接地,第三电容的两端分别并联在第二电容上。

3.根据权利要求1所述的一种移动机器人电源处理系统,其特征在于:所述第一开关电路包括按钮开关、第一二极管、第二二极管、光耦合器、三极管、PMOS管和NMOS管,所述按钮开关的输入端连接外部触发电源,所述第一二极管的一输入端连接按钮开关的输出端,第一二极管的另一输入端连接MCU芯片的输出端,第一二极管的输出端连接三极管的基极,三极管的发射极接地,三极管的集电极连接第二二极管的输出端,光耦合器的输入端正极端和光耦合器的输出端正极端均连接电池的电源正极,光耦合器的输入端负极端连接第二二极管的一输入端,光耦合器的输出端负极端连接第二二极管的另一输入端,PMOS的栅极连接电池的电源正极,PMOS管的漏极连接电池的电源正极,PMOS管的源极连接为正极输出端,NMOS管的栅极连接光耦合器的输出端负极端,NMOS管的源极连接电池的电源负极,NMOS管的漏极为负极输出端。

4.根据权利要求3所述的一种移动机器人电源处理系统,其特征在于:所述第一二极管和第二二极管均为双管型共阴肖特基二极管。

5.根据权利要求3所述的一种移动机器人电源处理系统,其特征在于:所述NMOS管为IRLB3036GPbF型MOS管,PMOS管为IRF5210PbF型MOS管。

6.根据权利要求3所述的一种移动机器人电源处理系统,其特征在于:所述第二开关电路、第三开关电路和第四开关电路均为与第一开关电路相同的开关电路。

7.根据权利要求6所述的一种移动机器人电源处理系统,其特征在于:所述第二开关电路、第三开关电路和第四开关电路的均触发电路为MCU芯片的输出端。

8.根据权利要求7所述的一种移动机器人电源处理系统,其特征在于:所述第三开关电路的三极管的集电极与第三开关电路的第二二极管的输出端之间串联有急停开关。

9.根据权利要求3所述的一种移动机器人电源处理系统,其特征在于:所述第一开关电路还包括第三二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电容,所述第三二极管的负极端接第一二极管的输出端,第三二极管的正极端接地,第一二极管的输出端串联第一电阻后接三极管的基极,第二电阻的一端接三极管的基极,第二电阻的另一端接地,第四电容的一端接三极管的基极,第四电容的另一端接地,三极管的发射极接第三电阻后接地。

10.根据权利要求3所述的一种移动机器人电源处理系统,其特征在于:所述第一开关电路还包括第四二极管和第五二极管,所述第四二极管的正极端接电池的电源正极,第四二极管的负极端接PMOS管的栅极,所述第五二极管的正极接光耦合器的输出端负极端,第五二极管的负极端接NMOS管的栅极。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院合肥物质科学研究院,未经中国科学院合肥物质科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810907925.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top