[发明专利]数据写入方法

说明书

一种数据写入方法包括：对数据进行编码以产生码字；根据第一写入条件将码字写入到存储器阵列中；及执行验证操作。执行验证操作的步骤包括：从存储器阵列读取码字；将所读取的码字与所述码字进行比较并获得所读取的码字的错误位数目；将所读取的码字解码以产生经解码数据；将经解码数据与所述数据进行比较；及如果相同，则将所读取的码字的错误位数目与通过阈值进行比较。如果所读取的码字的错误位数目大于通过阈值，则根据第二写入条件将所述码字写入到存储器阵列中，所述第二写入条件不同于第一写入条件。

技术领域

本发明涉及一种存储器存储装置，且更具体来说涉及一种存储器存储装置的数据写入方法。

背景技术

一般来说，将写入到可重写非易失性存储器(non-volatile memory，NVM)的数据可根据错误修正码(error correcting code，ECC)来进行编码。由于存储器单元的缺陷或关于写入经编码数据方面的其他影响因素，经编码数据可能无法被正确地写入到NVM中。为确保经编码数据在被写入到NVM中之后的有效性，可再次读取被写入NVM中的经编码数据以进行验证。如果所读取的经编码数据中存在一个或多个错误位，则可再次写入原始的经编码数据，直到通过验证。

当存在卡死位(stuck bit)时，经编码数据可能被多次地写入且因此造成较长的写入时间。在一些情形中，当被多次地施加写入电压时，正确位可能翻转或反转而变为错误位。此外，位的剩余寿命可能与所述位的写入次数呈负相关。因此，如何提供高效的写入方案来改善写入时间及功率、以及降低施加在存储器单元上的不必要的写入电压，以提高可靠性是所属领域中的技术人员所面临的主要课题之一。

发明内容

本发明涉及一种数据写入方法，通过采用所述数据写入方法，平均写入时间可减少，因而系统效率可提高。

本发明的示例性实施例提供一种用于写入数据的数据写入方法。所述数据写入方法适合于采用错误修正码方案的存储器控制器且包括：对所述数据进行编码以产生码字；根据第一写入条件将所述码字写入到存储器阵列中；以及执行验证操作。所述执行所述验证操作的步骤包括：从所述存储器阵列读取所述码字；将所读取的码字与所述码字进行比较并获得所述所读取的码字的错误位数目；由错误修正码解码器将所述所读取的码字解码以产生经解码数据；将所述经解码数据与所述数据进行比较；以及如果所述经解码数据与所述数据相同，则将所述所读取的码字的所述错误位数目与通过阈值进行比较。如果所述所读取的码字的所述错误位数目大于所述通过阈值，则所述数据写入方法进一步包括根据第二写入条件将所述码字写入到所述存储器阵列中，其中所述第二写入条件不同于所述第一写入条件。

基于以上内容，通过采用本发明中所提供的数据写入方法，数据被编码成码字且所述码字随后被读取以验证所读取的码字中是否存在过多的错误位。如果未通过验证操作，则可使用与原始写入条件不同的另一写入条件来再次写入码字。因此，可根据另一写入条件通过进行码字的另一写入来修正所读取的码字的错误位。因此，平均写入时间可减少，因而系统效率可提高。

为了使本发明的以上特征及优点更易于理解，以下详细阐述附图的若干实施例。

附图说明

为提供对本发明的进一步理解，在本说明书中包含附图，所述附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。所述附图示出本发明的实施例并与本说明一起用于阐释本发明的原理。

图1是说明根据本发明实施例的存储器存储装置的方块图；

图2是说明根据本发明实施例的数据写入方法的流程图；

图3是说明根据本发明实施例的数据写入方法的示意图；

图4是说明根据本发明实施例的数据写入方法的流程图；

图5是说明根据本发明实施例的数据写入方法的流程图；

图6是说明根据本发明实施例的数据写入方法的流程图。