[发明专利]铬-氮化铬复合涂层及其在纳米复合刀具的应用有效
申请号: | 201810908876.4 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN108950548B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 王鸣;陈刚 | 申请(专利权)人: | 成都极星等离子科技有限公司 |
主分类号: | C23C28/00 | 分类号: | C23C28/00;C23C14/14;C23C14/02;C23C14/34;C23C16/50 |
代理公司: | 成都乐易联创专利代理有限公司 51269 | 代理人: | 高炜丽 |
地址: | 610000 四川省成都市温江区*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化 复合 涂层 及其 纳米 刀具 应用 | ||
1.一种纳米复合刀具的制备方法,其特征在于:先将表面洁净的刀具基体置于氩气环境、真空度为0.01~1Pa、-300V~-1000V偏压条件下的真空镀膜设备内进行辉光清洗5~35min;在辉光清洗完毕后,调整偏压至-50V~-300V,开启Cr靶,调整靶材电流为100~350A,以Cr离子高能轰击刀具基体1~10min,活化刀具基体表面;
刀具基体表面活化完毕后,采用PVD法在刀具基体表面沉积铬层,将刀具基体置于氩气环境、真空度为0.35~0.45Pa、脉冲偏压为80~150V、占空比为40%~60%的条件下,开启Cr靶,调整靶材电流为25~30A,在刀具基体表面沉积纯铬层,沉积厚度根据相应沉积时间调整,在刀具基本面上获得厚度范围为1~2μm的纯铬层;
在刀具基体表面沉积铬层后,采用PECVD法在铬层表面沉积氮化铬层,将镀有铬层的刀具基体置于氮气环境、真空度为0.4~0.45Pa、脉冲偏压为80~150V、占空比为50%的条件下,其中,氮气通过阳极离子源注入,阳极离子源加电压450~800V,再开启Cr靶,调整靶材电流为25~30A,对镀有铬层的刀具基体表面进行离子轰击,在纯铬层上沉积与其厚度相等的氮化铬层,氮化铬层沉积完毕后,继续重复采用PVD法在所述氮化铬层表面沉积厚度均匀且渐薄的铬层,再继续在渐薄的铬层上采用PECVD法沉积与其厚度相等的氮化铬层,以沉积一层厚度相等的铬层与氮化铬层记为一次涂层沉积的循环,多次循环沉积后最顶层的涂层厚度范围为0.1~0.3μm,通过重复交替沉积铬层和氮化铬层,并控制相应的沉积时间,得到具有多层涂层且涂层厚度渐薄的纳米复合刀具;采用PECVD法在铬层表面沉积氮化铬层时,改变阳极层离子源中离子射流在空间角度上的投射方向,以提高离子束流在主要沉积方向上的分布均匀度;将阳极层离子源中阳极环的上端面加工为外凸的锥面,使内阴极与外阴极的磁极靴之间形成阴极缝隙,阴极缝隙每处的出射方向与该处下方的阳极环锥面垂直;使阳极环锥面上每处的法线均与竖直轴线形成夹角α,控制夹角α的范围为18°。
2.根据权利要求1所述的纳米复合刀具的制备方法,其特征在于:在采用PVD法在刀具基体表面沉积铬层时,通入氩气流量的范围控制在200sccm~250sccm,在采用PECVD法在铬层表面沉积氮化铬层时,阳极离子源中通入氮气流量的范围控制在300sccm~350sccm。
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