[发明专利]发光装置以及电子设备有效
申请号: | 201810908904.2 | 申请日: | 2014-08-25 |
公开(公告)号: | CN109119443B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 腰原健;野泽陵一 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H10K59/50 | 分类号: | H10K59/50;H10K59/30;H10K59/124;H10K59/123 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 邓毅;李庆泽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 以及 电子设备 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,具备:
第一晶体管;
第二晶体管;
第三晶体管;
第四晶体管;
光反射层,设置在所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管的上方;
第一绝缘层,覆盖所述光反射层,并具有第一层厚的部分和比所述第一层厚的部分厚的第二层厚的部分;
第一像素电极和第二像素电极,设置在所述第一层厚的部分上;
第一中继电极,与所述第一晶体管电连接;
第二中继电极,与所述第二晶体管电连接;
第三像素电极和第四像素电极,设置在所述第二层厚的部分上;
第三中继电极,与所述第三晶体管电连接;
第四中继电极,与所述第四晶体管电连接;
对置电极;
发光功能层,设置在所述第一像素电极与所述对置电极之间、所述第二像素电极与所述对置电极之间、所述第三像素电极与所述对置电极之间以及所述第四像素电极与所述对置电极之间,
所述第一中继电极经由设置于所述第一层厚的部分的第一连接部与所述第一像素电极连接,
所述第二中继电极经由设置于所述第一层厚的部分的第二连接部与所述第二像素电极连接,
所述第三中继电极经由设置于所述第二层厚的部分的第三连接部与所述第三像素电极连接,
所述第四中继电极经由设置于所述第二层厚的部分的第四连接部与所述第四像素电极连接,
所述第一绝缘层被设置为填充在所述第一连接部与所述第二连接部之间,
所述第一绝缘层被设置为填充在所述第三连接部与所述第四连接部之间,
在所述第一层厚的部分,所述第一像素电极与所述光反射层之间的光学距离等于所述第二像素电极与所述光反射层之间的光学距离,
在所述第二层厚的部分,所述第三像素电极与所述光反射层之间的光学距离等于所述第四像素电极与所述光反射层之间的光学距离,
所述第一层厚的部分的所述第一像素电极与所述光反射层之间的光学距离以及所述第二像素电极与所述光反射层之间的光学距离不等于所述第二层厚的部分的所述第三像素电极与所述光反射层之间的光学距离以及所述第四像素电极与所述光反射层之间的光学距离。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述第一绝缘层具有比所述第二层厚的部分厚的第三层厚的部分,
所述发光装置还具备:
第五晶体管;
第六晶体管;
第五像素电极和第六像素电极,设置在所述第三层厚的部分上;
第五中继电极,与所述第五晶体管电连接;以及
第六中继电极,与所述第六晶体管电连接,
所述第五中继电极经由设置于所述第三层厚的部分的第五连接部与所述第五像素电极连接,
所述第六中继电极经由设置于所述第三层厚的部分的第六连接部与所述第六像素电极连接,
所述第一绝缘层被设置为填充在所述第五连接部与所述第六连接部之间。
3.根据权利要求2所述的发光装置,其特征在于,
还具备第二绝缘层,该第二绝缘层在所述第一像素电极上规定第一发光区域,在所述第三像素电极上规定第二发光区域,在所述第五像素电极上规定第三发光区域,
所述第一发光区域设置在所述第一层厚的部分上,
所述第二发光区域设置在所述第二层厚的部分上,
所述第三发光区域设置在所述第三层厚的部分上。
4.根据权利要求3所述的发光装置,其特征在于,
所述第一层厚的部分被设置为从所述第一发光区域到达所述第一连接部,
所述第二层厚的部分被设置为从所述第二发光区域到达所述第三连接部,
所述第三层厚的部分被设置为从所述第三发光区域到达所述第五连接部。
5.根据权利要求3所述的发光装置,其特征在于,
还具备第四发光区域,
所述第二层厚的部分跨所述第二发光区域和所述第四发光区域而设置。
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