[发明专利]放大器芯片电极外设的多腔室封装结构及其制作方法

说明书

本发明揭示了一种放大器芯片电极外设的多腔室封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，具有间隔分布的第一、第二、第三腔室；第一滤波器芯片，位于第一腔室且具有第一电极；第二滤波器芯片，位于第二腔室且具有第二电极；放大器芯片，位于第三腔室且具有第三电极；RF开关芯片，设置于封装基板的上方且具有第四电极；第一、第二、第三电极位于同侧，互连结构用于导通第一、第二、第三及第四电极。本发明将多个芯片封装于同一封装基板，实现多芯片的高度集成；滤波器、放大器及RF开关芯片呈上下分布，RF开关芯片并不占用基板空间，可提高基板利用率，简化互连结构；滤波器芯片及放大器芯片内嵌于腔室中，使得封装结构更加轻薄。

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，尤其涉及一种放大器芯片电极外设的多腔室封装结构及其制作方法。

背景技术

为迎合电子产品日益轻薄短小的发展趋势，滤波器与射频发射组件、接收组件需要被高度集成在有限面积的封装结构中，形成系统级封装(SystemInPackage，SIP)结构，以减小硬件系统的尺寸。

对于系统级封装结构中的滤波器与射频前端模块封装整合技术，业内仍存在相当多的技术问题亟需解决，例如，滤波器的保护结构、多个芯片之间的连接结构、多个芯片的布局等等。

发明内容

本发明的目的在于提供一种放大器芯片电极外设的多腔室封装结构及其制作方法。

为实现上述发明目的之一，本发明一实施方式提供一种放大器芯片电极外设的多腔室封装结构，包括：

封装基板，具有相对设置的基板上表面及基板下表面，且所述封装基板具有间隔分布的第一腔室、第二腔室及第三腔室；

第一滤波器芯片，位于所述第一腔室，所述第一滤波器芯片具有相对设置的第一上表面及第一下表面，所述第一上表面与所述基板上表面位于同侧，且所述第一上表面具有若干第一电极；

第二滤波器芯片，位于所述第二腔室，所述第二滤波器芯片具有相对设置的第二上表面及第二下表面，所述第二上表面与所述基板上表面位于同侧，且所述第二上表面具有若干第二电极；

放大器芯片，位于所述第三腔室，所述放大器芯片具有相对设置的第三上表面及第三下表面，所述第三上表面与所述基板上表面位于同侧，且所述第三下表面具有若干第三电极；

RF开关芯片，设置于所述封装基板的上方，所述RF开关芯片具有相对设置的第四上表面及第四下表面，所述第四下表面与所述基板上表面面对面设置，且所述第四下表面具有若干第四电极；

若干互连结构，用于导通若干第一电极、若干第二电极、若干第三电极及若干第四电极。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述基板下表面的一侧具有若干外部引脚，所述封装基板具有若干通孔，所述互连结构通过所述通孔而导通若干第一电极、若干第二电极、若干第三电极、若干第四电极及若干外部引脚。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述互连结构包括第一金属柱、第二金属柱、焊锡及电镀层结构，所述第一金属柱连接于所述第四电极的下方，所述第二金属柱连接于所述第三电极的下方，所述电镀层结构导通所述第一电极、所述第二电极，且所述电镀层结构通过所述通孔延伸至所述封装基板的下方而导通所述第二金属柱及所述外部引脚，所述焊锡用于导通所述第一金属柱及所述电镀层结构。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述电镀层结构包括相互导通的中间布线层及下重布线层，所述下重布线层位于所述封装基板的下方并导通所述外部引脚，所述中间布线层包括相连的位于所述基板上表面的第一电镀层、位于所述通孔内壁的第二电镀层及位于所述基板下表面下方的第三电镀层，所述第一电镀层导通所述第一电极、所述第二电极及所述焊锡，所述第三电镀层连接所述第二金属柱及所述下重布线层。