[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第一绝缘夹层，位于衬底上；

第二绝缘夹层，位于所述第一绝缘夹层上；

栅极结构，在所述衬底上延伸穿过所述第一绝缘夹层及所述第二绝缘夹层，所述栅极结构的下部部分具有第一宽度，且所述栅极结构的上部部分具有第二宽度，所述第二宽度比所述第一宽度大且从其底部朝顶部逐渐增大；以及

间隔件结构，位于所述栅极结构的侧壁上，所述间隔件结构的上部部分的宽度小于所述间隔件结构的下部部分的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述间隔件结构的所述上部部分的所述宽度从其底部朝顶部逐渐减小。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述间隔件结构的相对的侧壁中的每一者相对于所述衬底的上表面具有斜面，且

所述间隔件结构的所述相对的侧壁的所述斜面的方向彼此不同。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，从所述间隔件结构的上侧壁到所述间隔件结构的中心部分的距离从其底部朝顶部减小。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述间隔件结构包括依序堆叠的多个间隔件，且

所述多个间隔件中的至少一者包含低介电材料，所述低介电材料具有比氮化硅的介电常数低的介电常数。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述间隔件结构的所述上部部分与所述间隔件结构的所述下部部分具有彼此不同的氧浓度。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述间隔件结构的所述上部部分的氧浓度大于所述间隔件结构的所述下部部分的氧浓度。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极结构的所述上部部分相对于所述衬底的上表面具有斜面。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述栅极结构位于延伸穿过所述第一绝缘夹层及所述第二绝缘夹层的开口中，且

所述栅极结构包括依序堆叠的多个栅极电极层。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：

所述栅极结构包括下部栅极结构、上部栅极结构及硬掩模，且

所述下部栅极结构包括位于所述开口的内壁上的栅极绝缘层以及依序堆叠在所述栅极绝缘层上的所述多个栅极电极层。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述上部栅极结构：

覆盖所述下部栅极结构，且

包含金属。

12.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第一绝缘夹层，位于衬底上，所述衬底包括第一区及第二区；

第二绝缘夹层，位于所述第一绝缘夹层上；

第一栅极结构，在所述衬底的所述第一区上延伸穿过所述第一绝缘夹层及所述第二绝缘夹层，所述第一栅极结构中的每一者的下部部分具有第一宽度，且所述第一栅极结构中的每一者的上部部分具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度且从其底部朝顶部逐渐增大；

第一间隔件结构，位于所述第一栅极结构中的每一者的侧壁上；

第二栅极结构，在所述衬底的所述第二区上延伸穿过所述第一绝缘夹层及所述第二绝缘夹层，所述第二栅极结构中的每一者的下部部分具有第三宽度，且所述第二栅极结构中的每一者的上部部分具有第四宽度，所述第四宽度大于所述第三宽度且从其底部朝顶部逐渐增大；以及

第二间隔件结构，位于所述第二栅极结构中的每一者的侧壁上，所述第二间隔件结构的上端具有与所述第一间隔件结构的上端的高度不同的高度，

其中所述第一栅极结构之间的第一距离小于所述第二栅极结构之间的第二距离。