[发明专利]一种降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法在审
| 申请号： | 201810909448.3 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109192658A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 杨俊;古进;石文坤;迟鸿燕;吴王进 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228;H01L21/225 |
| 代理公司： | 贵阳睿腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 谷庆红 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源扩散 扩散 二极管 电压调整 正向压降 携带 合金型 涂源 台面型半导体器件 衬底材料 硅片清洗 扩散工艺 欧姆接触 制造 芯片 | ||
1.一种降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法，采用N型单晶硅片为衬底材料，使用深结扩散工艺制造欧姆接触，其步骤为：硅片清洗→一次携带源扩散→一次涂源扩散→二次携带源扩散→二次涂源扩散→三次携带源扩散→第四次携带源扩散。
2.如权利要求1所述的降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法，其特征在于：硅片清洗的步骤为去氧化层→去油等有机物→去原子→去离子。
3.如权利要求1所述的降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法，其特征在于：携带源扩散的扩散温度为1100℃～1200℃，扩散时间为1h～6h。
4.如权利要求1所述的降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法，其特征在于：涂源扩散的扩散温度为1200℃～1290℃，扩散时间为8h～25h。
5.如权利要求1所述的降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法，其特征在于：一次涂源扩散的扩散结深Xj为50μm～60μm。
6.如权利要求1所述的降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法，其特征在于：二次涂源扩散的扩散结深Xj为70μm～85μm。
7.如权利要求1所述的降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法，其特征在于：三次携带源扩散后需对硅片表面进行氧化层处理。
8.如权利要求1所述的降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法，其特征在于：携带源扩散的源为三氯氧磷。
9.如权利要求1所述的降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法，其特征在于：涂源扩散的源为五氧化二磷与无水乙醇溶液。
10.如权利要求1所述的降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法，其特征在于：涂源扩散的具体步骤为将源涂覆于硅片表面，然后将硅片置于高温扩散炉中通过置换反向进行扩散。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
