[发明专利]曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种曝光装置，其特征在于，包括：进料检测单元、传输单元和曝光单元；

所述进料检测单元用于对基底进行检测，并判定所述基底为合格基底或待处理基底；

所述传输单元用于将所述合格基底传输至所述曝光单元；

所述曝光单元用于对所述合格基底进行曝光。

2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述进料检测单元包括温度检测子单元、厚度检测子单元和气体挥发物检测子单元中的至少一个，

所述温度检测子单元用于检测所述基底的温度，当所述基底的温度不在预设温度阈值范围内时，判定所述基底为所述待处理基底；

所述厚度检测子单元用于检测所述基底的厚度，当所述基底的厚度不在预设厚度阈值范围内时，判定所述基底为所述待处理基底；

所述气体挥发物检测子单元用于检测所述基底的气体挥发物，当所述基底的气体挥发物不在预设气体挥发物阈值范围内时，判定所述基底为所述待处理基底。

3.根据权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述温度检测子单元包括温度测量传感器；

所述厚度检测子单元包括椭偏仪或轮廓仪；

所述气体挥发物检测子单元包括气体挥发物传感器。

4.根据权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述进料检测单元还包括预对准子单元；

所述预对准子单元用于对所述基底进行预对准。

5.根据权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，所述预对准子单元包括基底旋转部件和边缘传感器；

所述基底旋转部件用于放置基底，并调节基底的旋转角度；

所述边缘传感器位于所述基底远离所述基底旋转部件的一侧，用于检测基底的位置。

6.根据权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，所述进料检测单元还包括第一污染物检测子单元；

所述第一污染物检测子单元用于检测预对准后的所述基底的第一污染物含量，当所述基底的第一污染物含量不在预设第一污染物含量阈值范围内时，判定所述基底为所述待处理基底。

7.根据权利要求6所述的曝光装置，其特征在于，所述第一污染物检测子单元包括光学成像部件；所述第一污染物含量包括第一污染物的数量和成像面积。

8.根据权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，所述进料检测单元还包括对准标记测量子单元、调焦调平子单元和面型测量子单元中的至少一种；

所述对准标记测量子单元用于测量所述合格基底的对准标记的位置；

所述调焦调平子单元用于对所述合格基底进行调焦调平；

所述面型测量子单元用于测量所述合格基底的吸附面型。

9.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，还包括出料检测单元；

所述出料检测单元用于检测曝光后的所述基底，并判定曝光后的所述基底为合格曝光基底或不合格曝光基底。

10.根据权利要求9所述的曝光装置，其特征在于，所述出料检测单元包括散射测量子单元和出料运动台子单元；

所述出料运动台子单元用于放置曝光后的所述基底；

所述散射测量子单元用于测量曝光后的所述基底的套刻偏移量，当所述套刻偏移量不在预设套刻偏移量阈值范围内时，判定曝光后的所述基底为所述不合格曝光基底。

11.根据权利要求10所述的曝光装置，其特征在于，所述出料检测单元还包括第二污染物检测子单元；

所述第二污染物检测子单元用于检测曝光后的所述基底的第二污染物含量，当曝光后的所述基底的第二污染物含量不在第二污染物含量阈值范围内时，判定曝光后的所述基底为不合格曝光基底。