[发明专利]一种半导体器件及其制造封装方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件及其制造封装方法，包括芯片、引线框架和封装体，引线框架包括芯片座和引脚，还包括导流引线，导流引线分别与芯片和引脚连接、导流引线中段向芯片外凸出，封装体注塑成型包覆于芯片、引线框架外且引脚部分伸出封装体，该封装体上设置有浇注口，浇注口设置于靠近导流引线的一侧。本发明将浇注口设置在靠近导流引线的一侧，使得封装体注塑时能够顺着导流引线的方向流动，有效消除了导流引线下方的气孔及熔接线；将导流引线的中段向芯片外凸出，使导流引线与芯片、导流引线与引线框架之间的间隙扩大，方便封装体顺利填充进去；有效防止芯片脱层、封装体胶体开裂、水汽入侵、离子污染等问题，提高了半导体器件的使用寿命。

技术领域

本发明属于电子器件技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制造封装方法。

背景技术

半导体器件通常要经过芯片制造与芯片封装两部分加工过程，因此，芯片自身的特性以及封装技术的优劣都直接决定了半导体器件产品最终的性能。半导体器件封装是将流片完成后的裸芯片进行机械保护、电性保护、内部电路引出等工作，其主要工艺流程大致可以分为芯片焊接、导线焊接、环氧树脂注塑、切脚成型、产品测试。伴随着芯片加工技术集成度与精细度的不断提升，芯片自身的性能已经有了较大进步，但是封装技术却仍然存在很多问题，如在环氧树脂注塑流程中，由于发射极焊接的铝线较粗，铝线下方容易产生气孔和熔接线，该注塑缺陷导致半导体器件在冷热工况下出现可靠性失效，如芯片脱层、环氧树脂胶体开裂、水汽入侵、离子污染芯片等问题，导致芯片损坏，无法正常工作。

中国专利号为CN104112678B的发明专利，公开了一种智能功率模块的制造方法，其包括步骤：S1)提供半成品智能功率模块；S2)提供引线框架结构；S3)焊接各个固定脚并使固定脚与电引脚分别位于基板的相对两侧；S4)放置半成品智能功率模块于模具的型腔内，并利用模具夹持固定脚的末端及电引脚的末端；S5)于模具的型腔内注入液态封装体并成模；S6)开模并将封装后的半成品智能功率模块取出；S7)切割所述电引脚的连接在一起的末端及切割所述固定脚的伸出所述封装体外的部分。虽然该发明专利中基板事先通过处于对立两侧的电引脚和固定脚进行固定，避免因为注塑冲力不平衡而导致出现的不良品，提高封装的良品率，杜绝了封装孔洞的出现，提高了智能功率模块的可靠性能，但是该发明需要借助加持工装来实现，使用不便。

中国专利号为CN103824834B的发明专利公开了一种具有改进型封装结构的半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括半导体芯片、引线框架和封装树脂。半导体芯片位于引线框架的载片基岛区，所述引线框架包括引脚区，其中第二引脚区上端连有第二键合区。半导体芯片与第二键合区之间通过金属引线电学相连。所述第二键合区相对于现有技术面积更大，从而确保低芯片在封装时，受金属引线限制的最大熔断电流可以有效提升，器件的导通电阻下降，从而最大限度的发挥芯片实际电流能力。但是该发明的发射极铝丝弧线高度低，封装时，树脂较难进入铝丝下方的狭窄区域，容易导致出现气孔，继而导致器件开裂、脱层、水汽入侵、离子污染芯片等问题。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中半导体器件在冷热工况下容易出现可靠性失效，如芯片脱层、环氧树脂胶体开裂、水汽入侵、离子污染芯片等问题，提供一种半导体器件及其制造封装方法。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：一种半导体器件，包括芯片、引线框架和封装体，所述引线框架包括芯片座和引脚，该芯片座用于承载固定芯片，该引脚使芯片与外部实现电性连接，还包括导流引线，所述导流引线两端分别与芯片和引脚连接、且导流引线中段向芯片外凸出，所述封装体通过注塑成型包覆于芯片、引线框架外且引脚部分伸出封装体，该封装体上设置有浇注口，且浇注口设置于靠近导流引线的一侧。

进一步的，所述的芯片包括三个电极，分别为栅极、集电极和发射极，所述引脚包括与芯片电极对应连接的栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚。

进一步的，所述发射极引脚与发射极连接的引线为发射极引线，该发射极引线为导流引线。