[发明专利]一种含有氮杂咔唑单元的化合物及其应用在审
申请号: | 201810910584.4 | 申请日: | 2018-08-12 |
公开(公告)号: | CN108929322A | 公开(公告)日: | 2018-12-04 |
发明(设计)人: | 谢再锋 | 申请(专利权)人: | 瑞声科技(南京)有限公司 |
主分类号: | C07D471/04 | 分类号: | C07D471/04;C07D519/00;C09K11/06;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/50;H01L51/54 |
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地址: | 210093 江苏省南京市鼓楼区青岛路3*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机发光材料 咔唑单元 有机电致发光器件 应用 电子传输性能 空穴传输性能 主体材料 咔唑骨架 匹配 | ||
1.一种含有氮杂咔唑单元的化合物,其特征在于,具有通式(Ⅰ)、(II)或(III)所示的结构:
通式(Ⅰ)、(II)或(III)中:
X1、X2、X3、X4各自独立地选自C或N,且X1、X2、X3、X4中至少有一个是N原子;
R1和R2各自独立地选自氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的稠环基;
M为具有通式(IV)的含氮杂环化合物:
通式(IV)中:
X5为二价原子,
Z1、Z2为芳香环或稠环,
R3、R4各自独立地为氢原子、氘原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的稠环基、取代或未取代的杂环基。
2.根据权利要求1所述的含有氮杂咔唑单元的化合物,其特征在于,X1、X2、X3、X4中,有且只有一个为N。
3.根据权利要求2所述的含有氮杂咔唑单元的化合物,其特征在于,具有选自如下之一的通式结构:
其中,
R1和R2各自独立地选自氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的稠环基;
M为具有通式(IV)的含氮杂环化合物:
通式(IV)中:
X5为二价原子,
Z1、Z2为芳香环或稠环,
R3、R4各自独立地为氢原子、氘原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的稠环基、取代或未取代的杂环基。
4.根据权利要求1所述的含有氮杂咔唑单元的化合物,其特征在于,所述二价原子选自O或S;所述取代的烷基、取代的芳基、取代的稠环基、取代的杂环基中的取代基选自C1-C10烷基、C6-C30芳基、C5-C30杂环基、C6-C36稠环基。
5.根据权利要求1所述的含有氮杂咔唑单元的化合物,其特征在于,R1、R2为H,X1为N,X2、X3、X4为C;或者R1、R2为H、X1、X3为N,X2、X4为C。
6.根据权利要求5所述的含有氮杂咔唑-咪唑单元的化合物,其特征在于,X5为氧原子,所述化合物具有选自如下之一的结构:
7.根据权利要求1所述的含有氮杂咔唑单元的化合物,其特征在于,R1、R2为H,X2为N,X1、X3、X4为C。
8.根据权利要求7所述的含有氮杂咔唑单元的化合物,其特征在于,X5为氧原子,所述化合物具有选自如下之一的结构:
9.权利要求1至8中任一项所述的含有氮杂咔唑单元的化合物在OLED、OFT、OPV、QLED器件中的应用。
10.根据权利要求9所述的应用,其特征在于,所述含有氮杂咔唑单元的化合物为所述OLED器件中的发光层材料。
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