[发明专利]带有双围堰、金属柱及焊锡的芯片封装结构及其制作方法

说明书

本发明揭示了一种带有双围堰、金属柱及焊锡的芯片封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，具有外部引脚；滤波器芯片，具有电极；围堰，包括位于电极内侧的第一围堰及位于电极外侧的第二围堰，第一围堰与芯片下表面及基板上表面配合而围设形成空腔，第二围堰的外侧缘与滤波器芯片的外侧缘齐平；封装基板具有供若干互连结构通过的若干通孔，互连结构包括金属柱结构、焊锡及电镀层结构，金属柱结构导通电极，电镀层结构导通外部引脚，焊锡用于导通金属柱结构及电镀层结构。本发明通过设置围堰形成空腔，避免在封装结构制作过程中或在封装结构使用过程中外界物质进入空腔内部而影响滤波器芯片的正常使用，从而提高封装结构的整体性能。

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，尤其涉及一种带有双围堰、金属柱及焊锡的芯片封装结构及其制作方法。

背景技术

射频集成电路(RFIC)被广泛地用于无线装置，例如，蜂巢式电话。

RFIC在基体上把传输线、匹配网络和电感线圈、电阻、电容器和晶体管之类的分立元件结合在一起提供能够传输和接收高频信号的子系统，举例来说，在大约0.1到100千兆赫(GHz)的范围内，RFIC的封装明显不同于数字集成电路的封装，因为该封装往往是射频电路的一部分，而且，因为RFIC复杂的射频电场和/或磁场能与任何附近的绝缘体和导体相互作用，为了符合无线工业日益增加的需求，RFIC封装发展设法提供更小巧、更廉价、性能更高的能适应多裸片射频模块的装置，同时提供更高的可靠性和使用无铅焊剂和其它“绿色的”材料。单或多裸片RFIC被个别封装的单一芯片封装是解决RFIC的小尺寸和低成本需求的直接解决办法，而且现在被用于大多数RFIC。

微电子机械系统(MEMS)准许微小尺度机械运动和指定的电信号之间的受控转换，举例来说，与指定的频率一致，MEMS正在广泛地用于RFIC。

基于机械运动，射频MEMS就射频频带滤波器而言能实现极好的信号品质，举例来说，SAW滤波器把电信号转换成机械波，后者在它转换回电信号之前沿着压电晶体基体传播的时候被延迟；BAW滤波器使用体积整体运动实现预期的特殊共振；而在RF开关中，电信号用来控制微电极的运动，打开或关闭开关。

现在的MEMS技术已经从半导体制造工艺发展起来，然而，与MEMS相关联的机械运动要求完全不同于传统的半导体集成电路的封装构造和要求，具体地说，在所有的MEMS集成电路内部，一些材料必须不受干扰地自由移动，因此，MEMS集成电路必须被遮蔽在运动材料周围形成小的真空或气穴以便在允许它们运动同时保护它们。

而现有技术中，无法形成一个封闭且可靠的空腔来实现电路或其他结构的保护。

发明内容

本发明的目的在于提供一种带有双围堰、金属柱及焊锡的芯片封装结构及其制作方法。

为实现上述发明目的之一，本发明一实施方式提供一种带有双围堰、金属柱及焊锡的芯片封装结构，包括：

封装基板，具有相对设置的基板上表面及基板下表面，所述基板下表面的一侧具有若干

外部引脚；

滤波器芯片，具有相对设置的芯片上表面及芯片下表面，所述芯片下表面与所述基板上表面面对面设置，所述芯片下表面具有若干电极；

若干互连结构，用于导通若干电极及若干外部引脚；

围堰，包括位于若干电极的内侧的第一围堰及位于若干电极外侧的第二围堰，所述第一围堰与所述芯片下表面及所述基板上表面配合而围设形成空腔，所述第二围堰的外侧缘与所述滤波器芯片的外侧缘齐平；

其中，所述封装基板具有供若干互连结构通过的若干通孔，所述互连结构包括金属柱结构、焊锡及电镀层结构，所述金属柱结构导通所述电极，所述电镀层结构导通所述外部引脚，所述焊锡用于导通所述金属柱结构及所述电镀层结构。