[发明专利]一种铜离子印迹膜的制备方法

说明书

本发明涉及一种铜离子印迹膜的制备方法，是针对低浓度的重金属废水处理难的情况，采用电控离子交换技术以及离子印迹技术相结合，在三电极体系下采用任意恒电位阶梯波法制备离子印迹膜，此制备方法工艺先进，不会造成二次污染和浪费、数据精确翔实，产物为聚合在碳布上的黑色物质，微观形貌为类球状物质，亚铁氰根离子掺杂到膜中，对于低浓度的重金属废水具有良好的去除能力，是先进的离子印迹膜的制备方法。

技术领域

本发明涉及一种铜离子印迹膜的制备方法，属离子印迹材料制备和应用的技术领域。

背景技术

随着社会经济的发展，水资源的利用和不合理浪费现象越来越严重，水资源缺乏问题日益显著，造成此现象的原因之一是水体被工业废水所污染，因此将所污染的工业废水转变为直接可利用的水资源刻不容缓。

其中铜做为人类最早发现并使用的金属之一，被广泛应用于冶金、电镀和化工等行业，产生大量含有铜离子的废水，由于其不可降解，对动植物和人体都会造成危害。

目前处理低浓度铜离子废水的方法主要有化学法、离子交换法、吸附法和生物法，但大都存在二次污染、浪费及选择性差等问题。

电控离子交换做为一种环境友好型的离子分离和回收方法而受到了高度关注；在吸附过程中，通过调节电控离子交换膜的氧化还原反应状态来实现对目标离子的吸收和释放，膜可以被重复使用，在整个过程中不会产生污染及二次浪费；离子印迹技术由于结构可预测性和特异识别性而引起广泛关注；对于目标离子特异性识别主要依赖于功能单体具有与模板离子在尺寸、形状和功能基团相匹配的结合位点，通过络合作用或静电作用进行结合，实现对于模板分子或离子的特异识别；因此将电控离子交换技术与离子印迹技术相结合，制备吸附能力强、选择性高和重复利用性好的铜离子印迹膜是可行的，这一技术还在科学研究中。

发明内容

发明目的

本发明的目的是针对背景技术的情况，以铜离子为模板离子，亚铁氰化钾为功能单体，吡咯为导电交联剂，采用单极脉冲法在碳布表面合成离子印迹聚合物，使制备的铜离子印迹膜在吸附分离中得到应用。

技术方案

本发明使用的化学物质材料为：氯化铜、亚铁氰化钾、吡咯、氯化钾、去离子水，其组合准备用量如下：以克、毫升、毫米为计量单位

氯化铜：CuCl₂•2H₂O 0.1704g±0.0001g

亚铁氰化钾：K₄Fe(CN)₆•3H₂O 0.4224g±0.0001g

吡咯：C₄H₅N 0.14mL±0.0001mL

氯化钾：KCl 0.3725g±0.0001g

去离子水：H₂O 2000mL±20mL

碳布 30mm×20mm×0.4mm

不锈钢片 30mm×20mm×0.2mm

甘汞电极 140mm×22mm×10mm

制备方法如下：

（1）精选化学物质材料