[发明专利]立体垂直通道NAND存储器的串行选择栅极的氧化方法

权利要求书

1.一种存储器元件包括：

一导电条带堆叠结构，包括多个第一阶层中的多个导电条带，且具有一第一开口，该第一开口将这些第一阶层中的这些导电条带的多个侧壁暴露于外；

一数据储存结构，位于这些第一阶层中的这些导电条带的这些侧壁上；

一第一垂直通道结构，包括一垂直通道膜，垂直地设置，并与位于这些第一阶层中的这些导电条带的这些侧壁上的数据储存结构接触；

一第二阶层中的一导电条带，位于这些第一阶层中的这些导电条带上方，该第二阶层中的该导电条带具有一第二开口，对准该第一垂直通道结构，且具有一侧壁。

一栅极介电层，位于该第二阶层中的该导电条带的该侧壁上；以及

一第二垂直通道结构，包括一垂直通道膜，与位于该第二阶层中的该导电条带的该侧壁上的该栅极介电层接触。

2.如权利要求1所述的存储器元件，更包括一第一焊垫，将该第一垂直通道结构连接至该第二垂直通道结构；该第一焊垫与该第一垂直通道结构的该垂直通道膜和该第二垂直通道结构的该垂直通道膜接触。

3.如权利要求2所述的存储器元件，其中该第一焊垫设置在该第一开口之中，并且包括与该第二垂直通道结构接触的一上方平坦化表面。

4.如权利要求1所述的存储器元件，更包括一第二焊垫设置在该第二开口之中，并与该第二垂直通道结构的该垂直通道膜接触。

5.如权利要求1所述的存储器元件，其中该第二阶层中的该导电条带具有大于这些第一阶层中的这些导电条带的一厚度。

6.如权利要求1所述的存储器元件，其中该第二阶层中的该导电条带包括与这些第一阶层中的这些导电条带不同的一材料。

7.如权利要求1所述的存储器元件，其中该数据储存结构包括一多层介电电荷捕捉结构(multilayer dielectric charge trapping structure)。

8.如权利要求1所述的存储器元件，其中该栅极介电层具有比该数据储存结构更小的一有效氧化物厚度(effective oxide thickness，EOT)。

9.如权利要求1所述的存储器元件，其中该第二垂直通道结构具有小于该第一垂直通道结构的一宽度。

10.一种存储器元件的制作方法，包括：

形成一导电条带堆叠结构，包括多个第一阶层中的多个导电条带，且具有一第一开口，将这些第一阶层中的这些导电条带的多个侧壁暴露于外；

形成一数据储存结构，位于这些第一阶层中的这些导电条带的这些侧壁上；

于该第一开口中形成一第一垂直通道结构，其中该第一垂直通道结构的形成，包括形成一垂直通道膜，垂直地设置，并与位于这些第一阶层中的这些导电条带的这些侧壁上的数据储存结构接触；

形成一第二阶层中的一导电条带，位于这些第一阶层中的这些导电条带上方，该第二阶层中的该导电条带具有一第二开口，对准该第一垂直通道结构，且具有一侧壁。

形成一栅极介电层，位于该第二阶层中的该导电条带的该侧壁上；以及

于该第二开口中形成一第二垂直通道结构，其中该第二垂直通道结构的形成，包括形成一垂直通道膜，与位于该第二阶层中的该导电条带的该侧壁上的该栅极介电层接触。