[发明专利]具有V型泵浦结构的半导体激光泵浦碱金属激光器系统

权利要求书

1.一种具有V型泵浦结构的半导体激光泵浦碱金属激光器系统，其特征在于，包括：泵浦光源(1)、碱金属蒸气池(3)、温度控制系统(4)和激光器谐振腔输出镜(5)；泵浦光源(1)出射泵浦光，泵浦光相对于碱金属蒸气池(3)的轴向方向斜向入射至碱金属蒸气池(3)的前端面；温度控制系统(4)贴近碱金属蒸气池(3)的后端面布置，用于使碱金属蒸气池(3)内的温度保持稳定；激光器谐振腔输出镜(5)垂直于碱金属蒸气池轴向方向布置，激光器谐振腔输出镜(5)与碱金属蒸气池(3)后端面组成激光器的谐振腔，激光由激光器谐振腔输出镜(5)输出至谐振腔外，实现激光和泵浦光在传播方向上不同轴，在空间上自然分离。

2.如权利要求1所述的具有V型泵浦结构的半导体激光泵浦碱金属激光器系统，其特征在于，还包括：光束匀化准直系统(2)，包括透镜和导光管，实现泵浦光在入射进碱金属蒸气池(3)前进行强度匀化处理。

3.如权利要求1所述的具有V型泵浦结构的半导体激光泵浦碱金属激光器系统，其特征在于，所述碱金属蒸气池(3)内充有增益介质和缓冲气体。

4.如权利要求3所述的具有V型泵浦结构的半导体激光泵浦碱金属激光器系统，其特征在于，所述增益介质为碱金属蒸气介质；缓冲气体为氦气、甲烷、乙烷、丙烷，或者为上述气体的混合气体。

5.如权利要求4所述的具有V型泵浦结构的半导体激光泵浦碱金属激光器系统，其特征在于，所述增益介质在碱金属蒸气池(3)的轴向方向的厚度在1厘米以下。

6.如权利要求3所述的具有V型泵浦结构的半导体激光泵浦碱金属激光器系统，其特征在于，所述碱金属蒸气池前端面镀有包含泵浦光和激光的增透膜，后端面镀有包含泵浦光和激光的全反膜。

7.如权利要求1所述的具有V型泵浦结构的半导体激光泵浦碱金属激光器系统，其特征在于，所述温度控制系统(4)包括热能转换器和对应的控制电路。

8.如权利要求1所述的具有V型泵浦结构的半导体激光泵浦碱金属激光器系统，其特征在于，所述温度控制系统(4)和碱金属蒸气池(3)之间设置有传热用热沉。

9.如权利要求1所述的具有V型泵浦结构的半导体激光泵浦碱金属激光器系统，其特征在于，所述泵浦光源(1)选用半导体激光器。

10.如权利要求1所述的具有V型泵浦结构的半导体激光泵浦碱金属激光器系统，其特征在于，所述泵浦光源(1)可设置多个，发射多束泵浦光束，从不同路线进行V型泵浦。