[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一衬底；

一第一氧化层，设置于所述衬底上；

一第二氧化层，设置于所述第一氧化层的一侧且与所述第一氧化层接触，其中所述第二氧化层与所述第一氧化层部分地重叠，且所述第一氧化层与所述第二氧化层包括一相同的氧化物；以及

一半导体层，设置于所述第二氧化层上；

一第一阱，设置于所述半导体层内；

一第二阱，设置于所述半导体层内且邻近于所述第一阱；

所述第二氧化层与所述第一阱重叠且未与所述第二阱重叠；

所述第一阱为一源极区，所述第二阱为一漏极区；

所述第二氧化层设置于所述衬底与所述第一氧化层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，更包括：

所述第一阱具有一第一导电类型；以及

所述第二阱具有与所述第一导电类型相反的一第二导电类型。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一氧化层具有一第一厚度且所述第二氧化层具有一第二厚度，所述第一厚度与所述第二厚度的比例的范围为10:1至1:1。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，更包括：

一栅极堆迭结构，设置于所述第一阱及所述第二阱之间，其中所述第二氧化层与所述栅极堆迭结构重叠。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述相同的氧化物为氧化硅。

6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

形成一第一氧化层于所述衬底上；

形成一半导体层于所述第一氧化层上；以及

藉由实行一离子注入工艺以形成一第二氧化层于所述第一氧化层的一表面上，其中所述第二氧化层与所述第一氧化层部分地重叠，且所述第一氧化层与所述第二氧化层包括一相同的氧化物;

形成一第一阱于所述半导体层内；

形成一第二阱于所述半导体层内，其中所述第二阱邻近于所述第一阱；

所述第二氧化层与所述第一阱重叠且未与所述第二阱重叠；

所述第一阱为一源极区，所述第二阱为一漏极区。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺是于所述第一氧化层与所述衬底之间的一第一界面或所述第一氧化层与所述半导体层之间的一第二界面注入离子。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，更包括：

其中所述第一阱具有一第一导电类型；以及

所述第二阱具有与所述第一导电类型相反的一第二导电类型。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在实行所述离子注入工艺之前，更包括：

形成一遮罩层于与所述第二阱重叠的所述半导体层的一部分上。

10.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在实行所述离子注入工艺之后，更包括：

实行一退火工艺，以形成所述第二氧化层。