[发明专利]在二维均匀栅格VCSEL阵列上创建任意图案

权利要求书

1.一种光电设备，包括：

半导体基板；和

光电池阵列，所述阵列在所述半导体基板上形成并且包括：

第一外延层，所述第一外延层限定下分布式布拉格反射器叠层；

第二外延层，所述第二外延层在所述下分布式布拉格反射器叠层上形成并限定量子阱结构；

第三外延层，所述第三外延层在所述量子阱结构上形成并限定上分布式布拉格反射器叠层；和

电极，所述电极在所述上分布式布拉格反射器叠层上形成，所述电极可被配置为将激发电流注入到每个光电池的量子阱结构中，

其中所述阵列包括第一组光电池和与所述第一组光电池交织的第二组光电池，所述第一组光电池被配置为响应于所述激发电流而发射激光辐射，其中所述光电池中选自所述外延层和所述电极的至少一个元件被配置为使得所述第二组中的所述光电池不发射所述激光辐射，

其中所述第二组光电池包括所述上分布式布拉格反射器叠层中的注入离子，所述注入离子通过足以将注入到所述量子阱结构中的所述激发电流降低至低于发射激光辐射所需的阈值的量，来增大所述上分布式布拉格反射器叠层的电阻。

2.根据权利要求1所述的光电设备，其中所述阵列为规则阵列，而所述第一组光电池以不相关的图案布置在所述阵列内。

3.根据权利要求1所述的光电设备，其中所述第二组光电池的所述电极被配置为不将所述激发电流注入到所述量子阱结构中。

4.一种光电设备，包括：

半导体基板；和

光电池阵列，所述阵列在所述半导体基板上形成并且包括：

第一外延层，所述第一外延层限定下分布式布拉格反射器叠层；

第二外延层，所述第二外延层在所述下分布式布拉格反射器叠层上形成并限定量子阱结构；

第三外延层，所述第三外延层在所述量子阱结构上形成并限定上分布式布拉格反射器叠层；和

电极，所述电极在所述上分布式布拉格反射器叠层上形成，所述电极可被配置为将激发电流注入到每个光电池的量子阱结构中，

其中所述阵列包括第一组光电池和与所述第一组光电池交织的第二组光电池，所述第一组光电池被配置为响应于所述激发电流而发射激光辐射，其中所述光电池中选自所述外延层和所述电极的至少一个元件被配置为使得所述第二组中的所述光电池不发射所述激光辐射，

其中所述第二组光电池的所述电极被配置为不将所述激发电流注入到所述量子阱结构中，并且

其中所述光电池包括所述外延层和所述电极之间的隔离层，并且其中所述隔离层的一部分在所述第一组光电池中被蚀刻掉并且在所述第二组光电池中不被蚀刻，使得所述激发电流不被注入到所述第二组光电池的所述量子阱结构中。

5.一种光电设备，包括：

半导体基板；和

光电池阵列，所述阵列在所述半导体基板上形成并且包括：

第一外延层，所述第一外延层限定下分布式布拉格反射器叠层；

第二外延层，所述第二外延层在所述下分布式布拉格反射器叠层上形成并限定量子阱结构；

第三外延层，所述第三外延层在所述量子阱结构上形成并限定上分布式布拉格反射器叠层；和

电极，所述电极在所述上分布式布拉格反射器叠层上形成，所述电极可被配置为将激发电流注入到每个光电池的量子阱结构中，

其中所述阵列包括第一组光电池和与所述第一组光电池交织的第二组光电池，所述第一组光电池被配置为响应于所述激发电流而发射激光辐射，其中所述光电池中选自所述外延层和所述电极的至少一个元件被配置为使得所述第二组中的所述光电池不发射所述激光辐射，

其中所述第二组光电池的所述电极被配置为不将所述激发电流注入到所述量子阱结构中，并且

其中所述光电设备包括隔离层和被配置为将电流馈送到所述光电池的导体，所述隔离层将所述第二组光电池的所述电极与所述导体隔离，使得所述电流不被馈送到所述第二组光电池的所述电极。