[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201810916369.5 | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN109841562A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 周典霈;郑宇彣;林钰庭;王俊杰;张根育;白岳青 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 开口侧壁 原子层沉积工艺 等离子体处理 金属氮化物层 金属单层 开口 沉积导电材料 半导体装置 前驱 导电结构 氮处理 介电层 主动区 黏着层 插塞 基板 物流 穿过 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：
形成一开口，穿过一介电层至一基板上的一主动区；
沿着该开口的侧壁进行一第一等离子体处理；
进行一原子层沉积工艺，以沿着该开口的侧壁形成一金属氮化物层，其中该原子层沉积工艺包括多个循环，且每一所述多个循环包括：
使一前驱物流入以沿着该开口的侧壁形成一金属单层；以及
进行一第二等离子体处理，以氮处理该金属单层；以及
沉积一导电材料于该开口中的该金属氮化物层上，以形成一导电结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
