[发明专利]真空镀膜设备、方法及滤波器腔体膜层的制备方法

权利要求书

1.一种真空镀膜设备，其特征在于，所述设备包括：入口压差室、镀膜室、出口压差室；其中，

所述入口压差室设置有至少两条真空线；每条真空线包含至少两级依次连接的真空过渡室；所述至少两条真空线并联，且每条真空线的一端均与所述镀膜室的入口连接；针对每条真空线，与所述镀膜室的入口连接的真空过渡室的真空度能够达到所述镀膜室的真空度；

所述镀膜室，设置有镀膜设备；

所述出口压差室设置有至少两条真空线；每条真空线包含至少两级依次连接的真空过渡室；所述至少两条真空线并联，且每条真空线的一端均与所述镀膜室的出口连接；针对每条真空线，与所述镀膜室的出口连接的真空过渡室的真空度能够达到所述镀膜室的真空度；

所述设备还包含传送装置，用于传送用于镀膜的基底。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述镀膜室设置有至少两个用于安放靶材的第一部件。

3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，相邻两个第一部件之间设置有第一距离，使得相邻两个第一部件中一个部件上的靶材对应的辐射范围与所述相邻两个第一部件中另一个部件上的靶材对应的辐射范围有重叠区域。

4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述入口压差室的每条真空线还包含清洗真空室，用于对所述基底进行等离子清洗；所述清洗真空室的真空度小于所述镀膜室的入口连接的真空过渡室的真空度。

5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，每条真空线的相邻真空过渡室之间设置有第二部件；当所述基底被传送至相应的真空过渡室时，设置的第二部件实现相邻真空过渡室之间的真空隔离；且当所述基底被传送至下一个相邻的真空过渡室时，设置在与所述下一个相邻的真空过渡室之间的第二部件打开。

6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，与所述镀膜室的入口连接的真空过渡室与所述镀膜室之间设置有所述第二部件；所述与所述镀膜室的出口连接的真空过渡室与所述镀膜室之间设置有所述第二部件。

7.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述入口压差室、镀膜室及出口压差室内的传送装置各自独立设置。

8.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，所述入口压差室的每条真空线对应设置有一个传输装置；所述出口压差室的每条真空线对应设置有一个传输装置。

9.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，每个真空室对应设置有一个传输装置。

10.一种真空镀膜方法，其特征在于，所述方法包括：

从真空镀膜设备入口压差室的至少两条真空线中选择一条真空线；每条真空线包含至少两级依次连接的真空过渡室；所述至少两条真空线并联；

将基底依次传送至选择的真空线的各级真空过渡室，抽真空使真空度达到各真空过渡室对应的预设真空度；

当所述基底进入选择的真空线的最后一级真空过渡室，且进入后真空过渡室的真空度与所述镀膜室的真空度相同时，将所述基底传送至所述真空镀膜设备的镀膜室，利用所述镀膜室的镀膜设备在所述基底上沉积膜层；

从所述真空镀膜设备的出口压差室的至少两条真空线中选择一条真空线；每条真空线包含至少两级依次连接的真空过渡室；所述至少两条真空线并联；

将沉积有膜层的基底依次传送至选择的真空线的各级真空过渡室，并抽真空使真空度达到各真空过渡室对应的预设真空度，以输出沉积有膜层的基底；

其中，所述基底通过所述真空镀膜设备的传输装置传送。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述从真空镀膜设备入口压差室的至少两条真空线中选择一条真空线，包括：

针对每条真空线，检测相应真空线是否处于真空缓冲状态；所述真空缓冲状态下所述相应真空线不满足向所述镀膜室输送所述基底的条件；

确定未处于真空缓冲状态的至少一条真空线；

从未处于真空缓冲状态的至少一条真空线中选择一条真空线。