[发明专利]切割金属栅极的方法、半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

形成在多个半导体鳍上方延伸的伪栅极堆叠件；

形成栅极间隔件，其中，所述伪栅极堆叠件位于所述栅极间隔件之间；

形成接触蚀刻停止层和层间电介质，其中，所述伪栅极堆叠件和所述栅极间隔件位于所述接触蚀刻停止层和所述层间电介质中；

用替换栅极堆叠件替换所述伪栅极堆叠件，其中，所述替换栅极堆叠件包括第一部分和第二部分，以及将所述第一部分连接至所述第二部分的第三部分；

选择性地沉积位于所述层间电介质上方并与所述层间电介质接触的介电硬掩模，其中，所述替换栅极堆叠件直接位于所述介电硬掩模的第一开口下方，其中，在所述介电硬掩模的所述选择性地沉积期间，随着所述介电硬掩模的厚度增加，所述第一开口同时在所述介电硬掩模中形成；

蚀刻所述替换栅极堆叠件的第三部分以在所述栅极间隔件之间形成第二开口，其中，所述第二开口将所述替换栅极堆叠件的第一部分与所述替换栅极堆叠件的第二部分分离，其中，在形成所述第二开口之前，在所形成的所述第一开口中具有覆盖所述替换栅极堆叠件的抑制膜，其中，所述抑制膜防止所述介电硬掩模形成在所述抑制膜上；以及

将介电材料填充到所述第二开口中。

2.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，所述介电硬掩模保护所述层间电介质使得所述第二开口不延伸到所述层间电介质中。

3.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，其中，选择性地实施形成所述抑制膜，从而使得所述抑制膜形成为与所述替换栅极堆叠件重叠，并且不是从所述层间电介质开始形成所述抑制膜。

4.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，其中，形成所述抑制膜包括形成等离子体聚合的碳氟化合物。

5.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，还包括在形成所述介电硬掩模之前凹进所述替换栅极堆叠件的第三部分。

6.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，还包括使用选择性沉积方法形成位于所述替换栅极堆叠件上方并与所述替换栅极堆叠件接触的金属层，从而使得在所述替换栅极堆叠件上沉积所述金属层，并且不是从所述层间电介质开始沉积所述金属层。

7.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，还包括形成图案化的光刻胶，其中，所述替换栅极堆叠件的第三部分直接位于所述图案化的光刻胶的开口下方，并且通过所述图案化的光刻胶的开口实施蚀刻所述替换栅极堆叠件的第三部分。

8.一种形成半导体器件的方法，包括：

形成包括栅极电介质和位于所述栅极电介质上方的金属栅电极的栅极堆叠件；

在所述栅极堆叠件的相对侧上形成层间电介质；

平坦化所述栅极堆叠件和所述层间电介质；

在所述栅极堆叠件上形成抑制膜，其中，暴露所述层间电介质的至少部分；

在所述层间电介质上选择性地沉积介电硬掩模，其中，所述抑制膜防止所述介电硬掩模形成在所述抑制膜上；以及

进行蚀刻以去除所述栅极堆叠件的部分，其中，所述介电硬掩模用作相应的蚀刻掩模的部分。

9.根据权利要求8所述的形成半导体器件的方法，还包括，在去除所述栅极堆叠件的部分之前并且在选择性地沉积所述介电硬掩模之后，去除所述抑制膜。

10.根据权利要求8所述的形成半导体器件的方法，还包括，将隔离层填充到由所述栅极堆叠件的去除部分留下的开口中，其中，所述隔离层包括与所述抑制膜重叠并接触的部分。

11.根据权利要求8所述的形成半导体器件的方法，其中，形成所述抑制膜包括形成等离子体聚合的碳氟化合物。

12.根据权利要求11所述的形成半导体器件的方法，其中，形成所述等离子体聚合的碳氟化合物包括氟和碳，以及来自除氟和碳之外的其他元素。