[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法在审
| 申请号： | 201810918595.7 | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN109346579A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;郭炳磊;王群;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触层 发光二极管外延 依次层叠 电极 衬底 源层 热效应 半导体技术领域 空间电荷区 电流集中 电流拥堵 横向扩展 空间电荷 自由电荷 制作 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层和所述接触层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述接触层包括依次层叠的P型欧姆接触层和N型欧姆接触层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述N型欧姆接触层的厚度为5nm～20nm。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述N型欧姆接触层中N型掺杂剂的掺杂浓度为1018cm-3～1020cm-3。
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P型欧姆接触层的厚度为5nm～100nm。
5.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P型欧姆接触层中P型掺杂剂的掺杂浓度为1021/cm3～1022/cm3。
6.一种发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长N型半导体层；
在所述N型半导体层上生长有源层；
在所述有源层上生长P型半导体层；
在所述P型半导体层上生长接触层，所述接触层包括依次层叠的P型欧姆接触层和N型欧姆接触层。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在所述P型半导体层上生长接触层，包括：
在所述P型半导体层上生长P型欧姆接触层；
采用氢氟酸缓冲腐蚀液对所述P型欧姆接触层的表面进行处理；
在所述P型欧姆接触层处理后的表面上生长N型欧姆接触层。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述氢氟酸缓冲腐蚀液的处理时长为5min～30min。
9.根据权利要求6～8任一项所述的制作方法，其特征在于，所述N型欧姆接触层的生长温度为1000℃～1200℃，所述N型欧姆接触层的生长压力为100torr～500torr。
10.根据权利要求6～8任一项所述的制作方法，其特征在于，所述P型欧姆接触层的生长温度为850℃～1050℃，所述P型欧姆接触层的生长压力为100torr～300torr。
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