[发明专利]一种紫外雪崩光电二极管

权利要求书

1.一种紫外雪崩光电二极管，其特征在于：包括：n型SiC衬底(1)、p⁺欧姆接触层(2)、n^-倍增层(3)、n型电荷控制层(4)、n^-吸收层(5)、n型过渡层(6)、n⁺欧姆接触层(7)、p触点电极(8)、n触点电极(9)，所述各层按照从下至上的顺序依次为n型SiC衬底(1)、p⁺欧姆接触层(2)、n^-倍增层(3)、n型电荷控制层(4)、n^-吸收层(5)、n型过渡层(6)、n⁺欧姆接触层(7)；所述p触点电极(8)位于p⁺欧姆接触层(2)上；所述n触点电极(9)位于n⁺欧姆接触层(7)上。

2.如权利要求1所述的一种紫外雪崩光电二极管，其特征在于：所述n型SiC衬底(1)半径为150μm。

3.如权利要求1所述的一种紫外雪崩光电二极管，其特征在于：所述p⁺欧姆接触层(2)厚度为3.0μm，其Al离子单位体积内的掺杂浓度N_A为6×10¹⁸cm^-3。

4.如权利要求1所述的一种紫外雪崩光电二极管，其特征在于：所述n^-倍增层(3)厚度为0.2μm，其Al离子单位体积内的掺杂浓度N_D为2×10¹⁵cm^-3。

5.如权利要求1所述的一种紫外雪崩光电二极管，其特征在于：所述n型电荷控制层(4)厚度为0.2μm，其Al离子单位体积内的掺杂浓度N_D为1×10¹⁸cm^-3。

6.如权利要求1所述的一种紫外雪崩光电二极管，其特征在于：所述n^-吸收层(5)厚度为0.1μm，其Al离子单位体积内的掺杂浓度N_D为2×10¹⁵cm^-3。

7.如权利要求1所述的一种紫外雪崩光电二极管，其特征在于：所述n型过渡层(6)厚度为0.1μm，其Al离子单位体积内的掺杂浓度N_D为1×10¹⁸cm^-3。

8.如权利要求1所述的一种紫外雪崩光电二极管，其特征在于：所述n⁺欧姆接触层(7)厚度为0.1μm，其Al离子单位体积内的掺杂浓度N_D为2×10¹⁹cm^-3。

9.如权利要求1所述的一种紫外雪崩光电二极管，其特征在于：所述p触点电极与n触点电极采用树枝状顶层电极结构。