[发明专利]一种应用于锁相环中的高性能电荷泵

权利要求书

1.一种应用于锁相环中的高性能电荷泵，其特征在于，包括：

充电电路(10)，用于在充电控制信号的作用下，对电荷泵输出节点进行充电；

放电电路(20)，用于在放电控制信号的作用下，对电荷泵输出节点进行放电；

充放电电压平衡电路(30)，设置在所述充电电路(10)和所述放电电路(20)之间，用于在所述电荷泵输出节点充放电的过程中，控制所述充电电路(10)和所述放电电路(20)，以使所述电荷泵输出节点电压与参考节点电压保持一致；

充放电电流匹配电路(40)，设置在所述充电电路(10)和所述放电电路(20)之间，用于在电荷泵输出节点充放电的过程中，控制所述充电电路(10)和所述放电电路(20)，以使所述充电电路(10)与所述放电电路(20)的电流匹配度维持在预设范围内。

2.如权利要求1所述的应用于锁相环中的高性能电荷泵，其特征在于，所述充电电路(10)包括：第一电流源(S1)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)和第四PMOS管(MP4)；

所述第一PMOS管(MP1)的漏极和栅极均与所述第一电流源(S1)连接；所述第一PMOS管(MP1)的栅极还与所述第二PMOS管(MP2)的栅极、所述第三PMOS管(MP3)的栅极、所述第四PMOS管(MP4)的栅极均相连；所述第一PMOS管(MP1)的源极与所述第二PMOS管(MP2)的源极、所述第三PMOS管(MP3)的源极、所述第四PMOS管(MP4)的源极均相连；所述第二PMOS管(MP2)的漏极与所述充放电电流匹配电路(40)相连；所述第三PMOS管(MP3)的漏极与所述充放电电流匹配电路(40)相连；所述第四PMOS管(MP4)的漏极与所述充放电电压平衡电路(30)相连。

3.如权利要求2所述的应用于锁相环中的高性能电荷泵，其特征在于，所述放电电路(20)包括：第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)和第三NMOS管(MN3)；

所述第一NMOS管(MN1)的栅极和漏极均与所述第二NMOS管(MN2)的栅极、所述第三NMOS管(MN3)的栅极相连；所述第一NMOS管(MN1)的源极与所述第二NMOS管(MN2)的源极、所述第三NMOS管(MN3)的源极均相连；所述第一NMOS管(MN1)的漏极还与所述充放电电流匹配电路(40)相连；所述第二NMOS管(MN2)的漏极与所述充放电电流匹配电路(40)相连；所述第三NMOS管(MN3)的漏极与所述充放电电压平衡电路(30)相连。

4.如权利要求1所述的应用于锁相环中的高性能电荷泵，其特征在于，所述充电电路(10)还包括：相互并联且与所述充放电电压平衡电路(30)连接的第一传输门(101)和第二传输门(102)；所述第一传输门(101)和第二传输门(102)用于在充电控制信号的作用下控制导通或关断所述充电电路(10)和所述充放电电压平衡电路(30)的连接。

5.如权利要求4所述的应用于锁相环中的高性能电荷泵，其特征在于，所述第一传输门(101)包括：第五PMOS管(MP5)和第四NMOS管(MN4)；所述第五PMOS管(MP5)的栅极和第四NMOS管(MN4)栅极用于接收所述充电控制信号，所述第五PMOS管(MP5)的源极和所述第四NMOS管(MN4)的漏极均与充电电路电压节点相连，所述第五PMOS管(MP5)的漏极和所述第四NMOS管(MN4)的源极均与所述充放电电压平衡电路(30)相连；

所述第二传输门(102)包括：第六PMOS管(MP6)和第五NMOS管(MN5)；所述第六PMOS管(MP6)的栅极和第五NMOS管(MN5)栅极用于接收所述充电控制信号，所述第六PMOS管(MP6)的源极和所述第五NMOS管(MN5)的漏极均与充电电路电压节点相连，所述第六PMOS管(MP6)的漏极和所述第五NMOS管(MN5)的源极均与所述充放电电压平衡电路(30)相连。