[发明专利]一种高线性度的功率放大器

权利要求书

1.一种高线性度的功率放大器，其特征在于，所述高线性度的功率放大器包括主体放大电路(100)和偏置电压产生电路(200)；

所述主体放大电路(100)包括第一推挽功率放大电路(101)和第二推挽功率放大电路(102),所述第一推挽功率放大电路(101)和所述第二推挽功率放大电路(102)构成互补对称电路；

所述第一推挽功率放大电路(101)包括两个管型互补的MOS管：第一PMOS管(PM1)和第一NMOS管(NM1)；

所述第二推挽功率放大电路(102)包括两个管型互补的MOS管：第二PMOS管(PM2)和第二NMOS管(NM2)；

所述偏置电压产生电路(200)包括第一偏置电压产生电路(201)和第二偏置电压产生电路(202)；

所述第一偏置电压产生电路(201)为所述第一PMOS管(PM1)提供栅极电压，通过调整所述第一偏置电压产生电路(201)中元器件阻抗值的大小，以使所述第一PMOS管(PM1)偏置在线性区；

所述第二偏置电压产生电路(202)为所述第二PMOS管(PM2)提供栅极电压，通过调整所述第二偏置电压产生电路(202)中元器件阻抗值的大小，以使所述第二PMOS管(PM2)偏置在线性区；

所述主体放大电路(100)用于对所述高线性度的功率放大器的输入信号进行放大。

2.根据权利要求1所述的一种高线性度的功率放大器，其特征在于，所述第一PMOS管(PM1)的源极和所述第二PMOS管(PM2)的源极相连；所述第一PMOS管(PM1)的漏极和所述第一NMOS管(NM1)的漏极相连；所述第二PMOS管(PM2)的漏极和所述第二NMOS管(NM2)的漏极相连；所述第一NMOS管(NM1)的源极和所述第二NMOS管(NM1)的源极相连；

所述第一PMOS管(PM1)和所述第一NMOS管(NM1)构成一级放大器电路；

所述第一PMOS管(PM1)用来放大所述高线性度的功率放大器输入信号的正半周；

所述第一NMOS管(NM1)用来放大所述高线性度的功率放大器输入信号的负半周；

所述第一PMOS管(PM1)和所述第一NMOS管(NM1)输出的半周信号在所述第一PMOS管(PM1)的漏极和所述第一NMOS管(NM1)的漏极连接处合成一个完整周期的输出信号；

所述第二PMOS管(PM2)和所述第二NMOS管(NM2)构成另外一级放大器电路；

所述第二PMOS管(PM2)用来放大所述高线性度的功率放大器输入信号的正半周；

所述第二NMOS管(NM2)用来放大所述高线性度的功率放大器输入信号的负半周；

所述第二PMOS管(PM2)和所述第二NMOS管(NM2)输出的半周信号在所述第一PMOS管(PM1)的漏极和所述第二NMOS管(NM2)的漏极连接处合成另外一个完整周期的输出信号。

3.根据权利要求1所述的一种高线性度的功率放大器，其特征在于，第一偏置电压电路(201)包括第三PMOS管(PM3)、第三NMOS管(NM3)和第一电阻(R1)；所述第三PMOS管(PM3)、所述第三NMOS管(NM3)和所述第一电阻(R1)组成一个分压电路；

通过调整第三PMOS管(PM3)、第三NMOS管(NM3)和第一电阻(R1)的阻抗值的大小，以使所述第一PMOS管(PM1)的栅极电压小于第一PMOS管(PM1)的源极电压与栅极电压之差时，使所述第一PMOS管(PM1)偏置在线性区。

4.根据权利要求1所述的一种高线性度的功率放大器，其特征在于，第二偏置电压电路(202)包括第四PMOS管(PM4)、第四NMOS管(NM4)和第二电阻(R2)；第四PMOS管(PM4)、第四NMOS管(NM4)和第二电阻(R2)组成一个分压电路；

通过调整所述第四PMOS管(PM4)、所述第四NMOS管(NM4)和所述第二电阻(R2)的阻抗值的大小，以使所述第二PMOS管(PM2)的栅极电压小于第二PMOS管(PM2)的源极电压与栅极电压之差时，使所述第二PMOS管(PM2)偏置在线性区。