[发明专利]半导体结构切割工艺和由此形成的结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一鳍，位于衬底上；

第二鳍，位于所述衬底上，所述第一鳍和所述第二鳍纵向对准；以及

鳍切割填充结构，设置在所述第一鳍和所述第二鳍之间，所述鳍切割填充结构包括：

绝缘衬垫，邻接所述第一鳍的第一侧壁和所述第二鳍的第二侧壁，所述绝缘衬垫包括带隙大于5eV的材料；和

填充材料，位于所述绝缘衬垫上。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述绝缘衬垫的材料选自由氧化硅(SiO_x)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO_x)、氧化钽(TaO_x)、氟化铝(AlF)、氟氧化铝(AlOF_x)、硅酸锆(ZrSiO_x)、硅酸铪(HfSiO_x)、氧化铪(HfO₂)、氧化锆(ZrO₂)或它们的组合组成的组。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述填充材料是绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述填充材料是氮化硅。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：相邻隔离区域，所述第一鳍和所述第二鳍从所述相邻隔离区域之间突出，所述鳍切割填充结构的底面位于所述相邻隔离区域的相应的顶面之下。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述鳍切割填充结构在所述鳍切割填充结构的顶面处具有宽度并且沿着所述第一鳍和所述第二鳍的纵向对准的方向，并且具有从所述鳍切割填充结构的顶面延伸至所述鳍切割填充结构的底面的深度，所述深度与所述宽度的比率至少为10。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第一栅极间隔件，在所述第一鳍的第一侧壁处在所述第一鳍上方延伸；

第二栅极间隔件，在所述第二鳍的第二侧壁处在所述第二鳍上方延伸；以及

栅极结构，设置在所述第一栅极间隔件和所述第二栅极间隔件之间，所述鳍切割填充结构横向设置在所述第一栅极间隔件和所述第二栅极间隔件之间，所述鳍切割填充结构邻接所述栅极结构。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

栅极结构，位于所述栅极上方；以及

栅极切割填充结构，设置在所述鳍切割填充结构和所述栅极结构之间并且邻接所述鳍切割填充结构和所述栅极结构。

9.一种半导体结构，包括：

绝缘结构，横向设置在所述第一鳍和所述第二鳍之间，所述第一鳍和所述第二鳍在衬底上纵向对准，所述绝缘结构包括：

高带隙衬垫，沿着所述第一鳍和所述第二鳍的相应端部侧壁设置，所述高带隙衬垫具有大于5eV的带隙；以及

填充材料，位于所述高带隙衬垫上。

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

在衬底上形成鳍；

通过在所述鳍的第一段和所述鳍的第二段之间形成切割开口，将所述鳍切割成所述鳍的第一段和所述鳍的第二段；

在所述切割开口中形成共形衬垫层，所述共形衬垫层包括带隙大于5eV的材料；以及

在所述切割开口中的所述共形衬垫层上形成填充材料。