[发明专利]磨削装置有效
申请号: | 201810920969.9 | 申请日: | 2018-08-14 |
公开(公告)号: | CN109420947B | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 竹之内研二;椛泽孝行 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | B24B7/22 | 分类号: | B24B7/22;B24B41/06;B24B55/03;B24B55/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磨削 装置 | ||
提供磨削装置,在对由难磨削材料形成的晶片等进行磨削的情况下,抑制磨具的磨损并且顺畅地磨削。磨削装置包含:工作台(30),其对被加工物(W)进行保持;磨削单元(7),其包含安装于主轴(70)的磨削磨轮(74),其中,磨削磨轮(74)具有利用结合剂(B1)将磨粒(P1)结合而得的磨具(74a),该磨削装置(1)包含:提供单元(8),当对被加工物(W)进行磨削时该提供单元至少向磨具(74a)提供磨削水;以及光照射单元(9),其与工作台相邻地配设,向对工作台(30)所保持的被加工物(W)进行磨削的磨具(74a)的磨削面照射光,光照射单元(9)具有:发光部(91),其发出光;以及扩散防止壁(94),其围绕发光部,防止光的扩散。
技术领域
本发明涉及磨削装置,该磨削装置具有:保持工作台,其对被加工物进行保持;以及磨削单元,其具有对保持工作台所保持的被加工物进行磨削的磨削磨轮。
背景技术
半导体晶片等板状的被加工物在被磨削装置(例如,参照专利文献1)磨削而薄化成规定的厚度之后,被切削装置等分割成各个器件芯片,分割得到的各个器件芯片被使用于各种电子设备等。
专利文献1:日本特开2001-284303号公报
在晶片由氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)或砷化镓(GaAs)等难磨削材料形成的情况下,存在磨削磨轮的磨削磨具的磨损量剧增而导致生产成本升高的问题。并且,在对由金属形成的晶片或晶片的被磨削面上局部露出有金属电极的晶片进行磨削的情况下,存在因金属的延展性而很难磨削的问题。
因此,在对由难磨削材料形成的晶片或包含金属的晶片进行磨削的情况下,存在抑制磨削磨具的过度磨损并且能够顺畅地进行磨削的课题。
发明内容
本发明的目的在于提供磨削装置,在对由难磨削材料形成的晶片等进行磨削的情况下,能够抑制磨具的磨损并且顺畅地进行磨削。
用于解决上述课题的本发明是磨削装置,其包含:保持工作台,其对被加工物进行保持;以及磨削单元,其包含主轴和磨削磨轮,该磨削磨轮安装于该主轴而对该保持工作台所保持的被加工物进行磨削,其中,该磨削磨轮具有利用结合剂结合了磨粒而得的磨削磨具,该磨削装置包含:磨削水提供单元,当利用该磨削单元对该保持工作台所保持的被加工物进行磨削时,该磨削水提供单元至少向该磨削磨具提供磨削水;以及光照射单元,其与该保持工作台相邻地配设,向对该保持工作台所保持的被加工物进行磨削的该磨削磨具的磨削面照射光,该光照射单元具有:发光部,其发出该光;以及扩散防止壁,其围绕该发光部,防止该光的扩散。
优选所述光照射单元在所述磨削磨轮的旋转轨迹上与所述磨削磨具的磨削面对置地配置,在所述扩散防止壁上形成有供该磨削磨轮进入的入口部和供该磨削磨轮退出的出口部。
优选所述磨削磨具是利用所述结合剂结合了所述磨粒和光催化剂颗粒而得的,该光照射单元照射激发该光催化剂颗粒的该光。
优选所述结合剂为陶瓷结合剂。
本发明的磨削装置的磨削磨轮具有利用结合剂结合了磨粒而得的磨削磨具,磨削装置包含:磨削水提供单元,当利用磨削单元对保持工作台所保持的被加工物进行磨削时,磨削水提供单元至少向磨削磨具提供磨削水;以及光照射单元,其与保持工作台相邻地配设,向对保持工作台所保持的被加工物进行磨削的磨削磨具的磨削面照射光,光照射单元具有:发光部,其发出光;以及扩散防止壁,其围绕发光部,防止光的扩散,因此,在磨削加工中,发光部所产生的光由于扩散防止壁而不发生扩散,提高了光对磨削磨具的磨削面的照射效率,通过对切入到被加工物的磨削磨具进行高效地亲水化等,提高了磨削水的冷却效果,抑制了磨削磨具的磨损,并且能够提高磨削屑的排出性。此外,由于通过磨削磨具的亲水化等将磨削水有效地提供到磨削磨具对被加工物进行磨削的加工区域,所以能够防止因加工热导致的加工品质的恶化,即使被加工物是由难磨削材料形成的晶片,也能够顺畅地进行磨削。
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