[发明专利]具有多个细丝的RRAM存储器单元、存储器电路及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器电路，包括：

第一电阻式随机存取存储器元件，布置在衬底上方的介电结构内并且具有通过第一数据存储层分离的第一分离电极和第一结合电极；

第二电阻式随机存取存储器元件，布置在所述介电结构内并且具有通过第二数据存储层分离的第二分离电极和第二结合电极，其中，所述第一数据存储层和所述第二数据存储层配置为共同地存储单个数据状态；以及

控制器件，设置在所述衬底内并具有连接至所述第一结合电极和所述第二结合电极的第一端子和连接至字线的第二端子，从而所述第一电阻式随机存取存储器元件和所述第二电阻式随机存取存储器元件产生的单独的非零读取电流共同地描述所述单个数据状态。

2.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述第一结合电极和所述第二结合电极是共享电极，所述共享电极的上表面在直接接触所述第一数据存储层的第一位置和直接接触所述第二数据存储层的第二位置之间连续延伸。

3.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述第一结合电极和所述第二结合电极是从所述第一数据存储层正下方连续延伸至所述第二数据存储层正下方的共享电极。

4.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述第一结合电极通过下部互连层连接至所述第二结合电极，其中，所述下部互连层设置所述第一结合电极和所述控制器件之间的位置处的所述介电结构内。

5.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述第一结合电极通过从所述第一数据存储层正下方连续延伸至所述第二数据存储层正下方的下部互连层连接至所述第二结合电极。

6.根据权利要求5所述的存储器电路，其中，所述第一结合电极和所述第二结合电极连接至相同的源极线。

7.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述第一分离电极连接至第一位线并且所述第二分离电极连接至与所述第一位线不同的第二位线。

8.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述控制器件包括晶体管器件，其中，所述晶体管器件具有连接至源极线的源极区、连接至所述字线的栅电极以及电连接至所述第一结合电极和所述第二结合电极的漏极区。

9.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述第一数据存储层和所述第二数据存储层具有可变电阻。

10.一种存储器电路，包括：

第一电阻式随机存取存储器元件，布置在衬底上方的介电结构内并且具有通过第一数据存储层分离的第一分离电极和第一结合电极；

第二电阻式随机存取存储器元件，布置在所述介电结构内并且具有通过第二数据存储层分离的第二分离电极和第二结合电极，其中，所述第一数据存储层和所述第二数据存储层配置为共同地存储单个数据状态；以及

导电元件，从所述第一数据存储层正下方连续延伸至所述第二数据存储层正下方，其中，所述导电元件配置为将所述第一结合电极电连接至所述第二结合电极，从而所述第一电阻式随机存取存储器元件和所述第二电阻式随机存取存储器元件产生的单独的非零读取电流共同地描述所述单个数据状态。

11.根据权利要求10所述的存储器电路，其中，所述第一数据存储层的第一最外侧壁以非零距离与所述第二数据存储层的第二最外侧壁分离。

12.根据权利要求10所述的存储器电路，其中，所述第一结合电极和所述第二结合电极是共享电极，所述共享电极的上表面在直接接触所述第一数据存储层的第一位置和直接接触所述第二数据存储层的第二位置之间连续延伸。

13.根据权利要求10所述的存储器电路，

其中，所述第一结合电极和所述第二结合电极包括第一材料；以及

其中，所述导电元件包括与所述第一材料不同的第二材料。