[发明专利]一种新的多晶镀膜异常片返工的方法

说明书

本发明涉及多晶镀膜领域。一种新的多晶镀膜异常片返工的方法，当硅片的膜厚度大于等于65纳米小于等于85纳米时，属于正常厚度膜硅片，不需要进行PSG去膜，当膜厚度小于65纳米或者大于等于85纳米时，属于异常厚度膜硅片即异常片，对异常片返工时，按照PSG去膜→镀膜→丝印步骤进行，PSG去膜为将异常片放在体积比为8%的氢氟酸中酸洗，使膜厚度变为1‑10纳米，然后进行水洗、烘干。本发明通过在PSG去膜时不完全去膜，且保留膜的厚度不影响后续镀膜，从而避免了PSG去膜时对硅片的直接损坏，也避免了后续碱洗相关步骤，节省了成本，提高了效益。

技术领域

本发明涉及多晶镀膜领域。

背景技术

普通电池镀膜异常返洗工艺是电池制造过程的比较重要的返工工艺，通常的镀膜异常返工流程为：PSG去膜→清洗（碱洗）→扩散→湿法切边→镀膜→丝印，此返工流程比正常电池镀膜工艺复杂，且由于多次刻蚀，导致硅片较薄，容易出现碎片率超标。

PSG去膜即对镀膜后异常电池片（异常片）去膜，需要使用HF酸液体酸洗，氢氟酸本身与氮化硅膜反应生成溶于水的物质，从而达到去膜的目的，但由于膜厚的差异性，在固定浓度氢氟酸药液中，去膜时间长短不一，在去膜后硅片在氢氟酸药液停留时间过长，硅与氢氟酸反应会在硅片表面形成腐蚀坑，颜色为偏黄色，称之为多孔硅。由于多孔硅电阻率高，不利于电池后期的制作，因此正常返工工艺在去膜后需要利用碱洗去除多孔硅。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：如何简略多晶镀膜异常片返工步骤，同时满足再次镀膜需求。

本发明所采用的技术方案是：一种新的多晶镀膜异常片返工的方法，当硅片的膜厚度大于等于65纳米小于等于85纳米时，属于正常厚度膜硅片，不需要进行PSG去膜，当膜厚度小于65纳米或者大于等于85纳米时，属于异常厚度膜硅片即异常片，对异常片返工时，按照PSG去膜→镀膜→丝印步骤进行，PSG去膜为将异常片放在体积比为8%的氢氟酸中酸洗，使膜厚度变为1-10纳米，然后进行水洗、烘干。

作为一种优选方式：由于镀膜后膜越后颜色越浅，因此可以通过颜色来确定膜的厚度，首先对镀膜后不同厚度的膜进行CCD相机拍照，将相片颜色与对应膜厚度输入数据库中，然后通过CCD相机对硅片进行拍照，将获得的相片与数据库中相片进行对比检测，得出膜的厚度。

本发明的有益效果是：本发明通过在PSG去膜时不完全去膜，且保留膜的厚度不影响后续镀膜，从而避免了PSG去膜时对硅片的直接损坏，也避免了后续碱洗相关步骤，节省了成本，提高了效益。

具体实施方式

采用CCD相机对镀膜后的电池片（硅片）进行检测，CCD相机数据库中包含间隔1纳米厚度的膜厚为0-150纳米的电池片标准数据，然后通过机械手挑选出膜厚度小于65纳米或者大于等于85纳米的电池片即异常片进行返工处理，返工处理首先在体积比为8%的氢氟酸中酸洗，同时通过CCD相机对酸洗中的膜的厚度进行检测，当膜的厚度为1-10纳米通过机械手取出，并用鼓泡水洗3分钟，溢流清洗2min，热水清洗1min，然后烘干，送至镀膜设备镀膜，然后印刷电极（丝印）。