[发明专利]用于驱动NFC设备的天线的电路和方法

权利要求书

1.一种用于驱动近场通信(NFC)设备的天线的电路，所述电路包括：

第一可变电阻器，所述第一可变电阻器经由第一电容器被耦合到所述天线的第一端子；

第二可变电阻器，所述第二可变电阻器经由第二电容器被耦合到所述天线的第二端子；以及

控制电路，所述控制电路被配置为使得所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器各自具有第一电阻水平、第二电阻水平和第三电阻水平中的基于所述电路的操作阶段选择的一个电阻水平，

其中所述控制电路进一步被配置为：

在与读数器模式相对应的所述NFC设备的第一操作阶段期间，选择所述第一电阻水平；

在所述NFC设备的第二操作阶段期间，选择所述第二电阻水平，所述第二操作阶段与在所述NFC设备的卡仿真模式期间所述天线的发射突发的时段相对应；以及

在所述NFC设备的第三操作阶段期间，选择所述第三电阻水平，所述第三操作阶段与在所述卡仿真模式期间所述天线的发射突发之间的非发射时段的一部分相对应。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器被配置为以使所述第一电阻水平使得所述天线具有第一谐振频率，并且其中所述第二电阻水平使得所述天线具有高于所述第一谐振频率的第二谐振频率。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器被配置为以使所述第一谐振频率小于14MHz并且所述第二谐振频率大于14MHz。

4.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器被配置为以使所述第三电阻水平引起所述天线的电压振荡的阻尼。

5.根据权利要求1所述的电路，其中：

所述第一电阻水平小于3欧姆；

所述第二电阻水平大于3欧姆并且小于100欧姆；以及

所述第三电阻水平大于25欧姆并且与所述第二电阻水平不同。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述控制电路进一步被配置为执行自动天线调谐过程，以确定用于将所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器编程为具有所述第二电阻水平的控制信号的值。

7.根据权利要求6所述的电路，其中所述控制电路被配置为通过执行以下操作来确定所述控制信号：

选择所述控制信号的初始值，以选择所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器的初始电阻水平；

检测在发射突发期间所述天线上存在的信号的振幅和/或相位；

比较所述振幅与参考振幅，和/或比较所述相位与参考相位；

基于所述比较，修改所述控制信号的所述初始值，以修改所述初始电阻水平；以及

重复所述选择、检测、比较和修改的操作至少一次。

8.一种NFC设备，包括：

NFC天线；

主动负载调制(ALM)驱动电路，其被耦合到所述NFC天线，其中所述ALM驱动电路包括：

第一可变电阻器，所述第一可变电阻器经由第一电容器被耦合到所述NFC天线的第一端子；

第二可变电阻器，所述第二可变电阻器经由第二电容器被耦合到所述NFC天线的第二端子；以及

控制电路，所述控制电路被配置为使得所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器各自具有第一电阻水平、第二电阻水平和第三电阻水平中的基于所述电路的操作阶段选择的一个电阻水平，其中所述控制电路进一步被配置为：

在与读数器模式相对应的所述NFC设备的第一操作阶段期间，选择所述第一电阻水平；

在所述NFC设备的第二操作阶段期间，选择所述第二电阻水平，所述第二操作阶段与在所述NFC设备的卡仿真模式期间所述天线的发射突发的时段相对应；以及

在所述NFC设备的第三操作阶段期间，选择所述第三电阻水平，所述第三操作阶段与在所述卡仿真模式期间所述天线的发射突发之间的非发射时段的一部分相对应；以及

电池，所述电池将供应电压供应给所述ALM驱动电路。